首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--化合物半导体论文

ZnO光学性质与掺杂的第一性原理研究

中文摘要第1-4页
英文摘要第4-8页
第1章 绪论第8-19页
   ·ZnO 的研究起源第8-9页
   ·ZnO 材料的应用第9-11页
   ·ZnO 薄膜的制备方法第11-14页
     ·脉冲激光沉积法第11-12页
     ·磁控溅射法第12页
     ·金属有机物化学气相沉积第12页
     ·溶胶凝胶法第12-13页
     ·喷雾热解法第13页
     ·分子束外延法第13-14页
     ·原子层外延法第14页
   ·Zn0 薄膜的掺杂研究进展第14-15页
   ·ZnO 的基本性质第15-17页
   ·本文的研究目的和研究内容第17-19页
     ·研究目的第17页
     ·研究内容第17-19页
第2章 第一性原理计算方法第19-33页
   ·第一性原理第19页
   ·密度泛函理论第19-28页
     ·Hartree-Fock 近似第20-22页
     ·Hohenber–Kohn 定理第22-23页
     ·Kohn-Sham第23-26页
     ·局域密度近似和广义梯度近似第26-28页
   ·赝势方法第28-30页
   ·能带理论第30-31页
   ·结构优化第31页
   ·CASTEP 软件包第31-33页
第3章 本征ZnO 电子结构及光学性质的第一性原理研究第33-44页
   ·计算模型第33-34页
   ·计算结果与分析第34-36页
     ·能带结构第34-35页
     ·态密度第35-36页
   ·光学性质的计算第36-42页
     ·复介电函数第37-38页
     ·复折射率第38-39页
     ·反射率第39-40页
     ·吸收率第40-41页
     ·能量损失函数第41-42页
   ·本征点缺陷第42-44页
第4章 掺杂ZnO 电子结构的第一性原理研究第44-60页
   ·n 型ZnO 掺杂第44-52页
     ·计算模型第44-45页
     ·Ⅲ族单元掺杂第45-49页
     ·不同 Al 浓度掺杂第49-52页
   ·p 型ZnO 掺杂第52-60页
     ·计算模型第53-54页
     ·不同N浓度掺杂第54-57页
     ·N 与Al 共掺第57-60页
第5章 总结与展望第60-61页
   ·总结第60页
   ·展望第60-61页
参考文献第61-66页
在学期间公开发表论文情况第66-67页
致谢第67页

论文共67页,点击 下载论文
上一篇:光纤中超高斯型脉冲传输特性的研究
下一篇:江西发展循环经济地方立法问题研究