| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 半导体光刻技术 | 第8-31页 |
| 第一节 光刻工艺技术发展及展望 | 第8-9页 |
| 第二节 光刻基本原理及成像条件 | 第9页 |
| 第三节 光阻化学性质与作用 | 第9-11页 |
| 第四节 光刻工艺流程介绍 | 第11-22页 |
| ·去水烘烤/HMDS | 第12页 |
| ·光阻涂布 | 第12-16页 |
| ·软烤 | 第16-17页 |
| ·WEE(Wafer Edge Exposure) | 第17页 |
| ·对准/曝光 | 第17-20页 |
| ·曝光后烘烤 | 第20-21页 |
| ·显影 | 第21页 |
| ·硬烤 | 第21-22页 |
| 第五节 光阻涂布与显影设备 | 第22-24页 |
| ·Track机台及构造 | 第22-23页 |
| ·涂布机台及构造 | 第23-24页 |
| ·显影机台 | 第24页 |
| 第六节 解析度于聚焦深度 | 第24-26页 |
| 第七节 光罩相关技术 | 第26页 |
| 第八节 制程参数条件的设定 | 第26-29页 |
| ·光阻的选择 | 第27页 |
| ·Swing Curve(光阻厚度曲线) | 第27页 |
| ·最佳焦距与曝光能量 | 第27-28页 |
| ·制程窗口(Process Window) | 第28-29页 |
| 第九节 显影后的检查 | 第29-31页 |
| ·显影后检查步骤 | 第29页 |
| ·显影后目检(ADI-After Develop Inspection) | 第29页 |
| ·ADI的常见缺陷 | 第29-31页 |
| 第二章 光刻工艺中线条剥离问题 | 第31-39页 |
| 第一节 Line/Space图形的线条剥离现象 | 第31-32页 |
| 第二节 工艺参数的改变对线条剥离现象的改善 | 第32-35页 |
| 第三节 实验设计改善线条剥离现象 | 第35-37页 |
| 第四节 HMDS的其他应用 | 第37-39页 |
| 第三章 光刻PEB Delay问题的研究与解决 | 第39-48页 |
| 第一节 T-Top缺陷现象 | 第39-42页 |
| 第二节 PEB Delay导致T-Top发生机理研究 | 第42-45页 |
| ·光化学反应过程分析 | 第42-43页 |
| ·光阻特性分析 | 第43-44页 |
| ·缺陷解决方向 | 第44-45页 |
| 第三节 缺陷改善试验 | 第45-48页 |
| ·Fab环境改善控制NH3的浓度 | 第45页 |
| ·对PEB Delay的改进 | 第45-46页 |
| ·调整机台配置改善升降温速度 | 第46-48页 |
| 第四章 图形底部残留缺陷的研究与解决 | 第48-54页 |
| 第一节 图形底部残留现象 | 第48-50页 |
| 第二节 缺陷的解决方法 | 第50-52页 |
| 第三节 新程式的其他应用 | 第52-54页 |
| 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 后记 | 第58-59页 |
