| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 引言 | 第7-12页 |
| ·SiCGe薄膜概述 | 第7-11页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第11-12页 |
| 2 设备与工艺 | 第12-18页 |
| ·热壁CVD生长设备 | 第12-15页 |
| ·供气系统 | 第12-13页 |
| ·真空机组及真空检测系统 | 第13页 |
| ·反应室 | 第13-14页 |
| ·循环水冷却系统 | 第14页 |
| ·温度控制系统 | 第14-15页 |
| ·尾气处理系统 | 第15页 |
| ·SiC衬底上生长p-SiCGe薄膜的工艺 | 第15-18页 |
| 3 p-SiCGe薄膜的异质外延生长 | 第18-33页 |
| ·薄膜外延生长的理论基础 | 第18-22页 |
| ·p-SiCGe薄膜的生长机理 | 第18-20页 |
| ·异质外延薄膜生长的三种模式 | 第20-22页 |
| ·p-SiCGe薄膜生长工艺的探索 | 第22-33页 |
| ·源气体大流量和小流量的对比 | 第22-27页 |
| ·不同SiH_4流量对SiC薄膜的影响 | 第27-28页 |
| ·生长温度对p-SiCGe薄膜的影响 | 第28-30页 |
| ·GeH_4流量比对p-SiCGe薄膜的影响 | 第30-33页 |
| 4 p-SiCGe薄膜中的缺陷研究 | 第33-39页 |
| ·APB(Antiphase Boundaries)缺陷 | 第33-36页 |
| ·DPB(Double Positioning Boundary)缺陷 | 第36-39页 |
| 5 p-SiCGe薄膜电学特性测试与分析 | 第39-44页 |
| ·B掺杂理论 | 第39-40页 |
| ·导电类型的判断及电阻率的测试 | 第40-41页 |
| ·pn二极管的I-V特性 | 第41-44页 |
| 6 结论 | 第44-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 在校学习期间的科研工作 | 第50页 |