基于DMD的数字无掩模光刻成像系统设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-19页 |
| ·光刻技术的发展史 | 第7-9页 |
| ·新型光刻技术的现状与发展 | 第9-13页 |
| ·193nm侵入式技术 | 第9-10页 |
| ·157nm光刻技术 | 第10-11页 |
| ·EUVL(极短紫外光)光刻 | 第11页 |
| ·电子束投影光刻(EPL) | 第11页 |
| ·纳米压印光刻技术 | 第11-13页 |
| ·无掩模光刻技术的研究现状 | 第13-17页 |
| ·电子束无掩模光刻技术 | 第13-15页 |
| ·数字光学无掩模光刻技术 | 第15-17页 |
| ·本论文研究的主要工作 | 第17-19页 |
| ·研究意义与目的 | 第17-18页 |
| ·研究的主要内容 | 第18-19页 |
| 2 数字微镜器件 | 第19-29页 |
| ·DMD的发展历史和现状 | 第19-20页 |
| ·DMD芯片 | 第20-27页 |
| ·DMD芯片的特点及特性 | 第22-25页 |
| ·DMD芯片的工作原理 | 第25-26页 |
| ·DMD的光开关原理 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 3 无掩模光刻系统设计 | 第29-45页 |
| ·课题的主要难点及解决办法 | 第29-30页 |
| ·系统结构设计 | 第30-37页 |
| ·总体设计思想 | 第31-32页 |
| ·系统工作原理 | 第32-33页 |
| ·系统光路设计 | 第33-36页 |
| ·系统参数设计 | 第36-37页 |
| ·影响因素及解决方法 | 第37-42页 |
| ·黑栅效应 | 第37-40页 |
| ·数值孔径 | 第40-41页 |
| ·精缩倍数 | 第41-42页 |
| ·曝光显影的非线性影响 | 第42页 |
| ·本章小结 | 第42-45页 |
| 4 实验结果与讨论 | 第45-57页 |
| ·实验结果 | 第45-47页 |
| ·方案一接收图形 | 第45-46页 |
| ·方案二曝光图形 | 第46页 |
| ·方案三曝光图形 | 第46-47页 |
| ·三种实验结果的对比 | 第47-48页 |
| ·系统误差特性分析 | 第48-55页 |
| ·光路系统误差 | 第49-52页 |
| ·DMD控制系统误差 | 第52-53页 |
| ·曝光及显/定影误差 | 第53-55页 |
| ·其他因素 | 第55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 5 结论和建议 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 附录 | 第65页 |
