| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| §1.1 引言 | 第12页 |
| §1.2 Ⅲ族氮化物半导体材料的基本性质及制备方法 | 第12-16页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体材料的基本性质 | 第12-14页 |
| ·Ⅲ族氮化物的制备方法 | 第14-16页 |
| §1.3 GaN和InN的研究现状及发展趋势 | 第16-18页 |
| §1.4 第一性原理的发展、作用及优点 | 第18-19页 |
| §1.5 本文研究目的和内容 | 第19-21页 |
| 第二章 密度泛函理论基础与计算方法简介 | 第21-36页 |
| §2.1 引言 | 第21页 |
| §2.2 多电子体系的薛定谔方程 | 第21-24页 |
| ·非相对近似 | 第22页 |
| ·Born-Oppenheimer近似 | 第22-23页 |
| ·轨道近似 | 第23-24页 |
| §2.3 密度泛函理论基础 | 第24-27页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第24-25页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第25-27页 |
| §2.4 交换-关联能函数近似 | 第27-28页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第27页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第27-28页 |
| §2.5 基函和赝势 | 第28-31页 |
| §2.6 自洽运算和结构优化 | 第31-34页 |
| ·自洽运算 | 第31-32页 |
| ·结构优化 | 第32-33页 |
| ·k空间取样规则 | 第33-34页 |
| ·快速傅立叶变换(FFT) | 第34页 |
| §2.7 CASTEP软件包的功能特点 | 第34-36页 |
| 第三章 Al、Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究 | 第36-46页 |
| §3.1 引言 | 第36页 |
| §3.2 理论模型和计算方法 | 第36-38页 |
| ·计算方法 | 第36-37页 |
| ·理论模型 | 第37页 |
| ·光学性质的理论描述 | 第37-38页 |
| §3.3 计算结果与讨论 | 第38-45页 |
| ·结构性质 | 第38-39页 |
| ·体系的分波态密度 | 第39-40页 |
| ·原子布居分析 | 第40-41页 |
| ·光学性质分析 | 第41-45页 |
| §3.4 结论 | 第45-46页 |
| 第四章 高压对闪锌矿型InN电子结构与光学性质的影响 | 第46-52页 |
| §4.1 引言 | 第46页 |
| §4.2 理论模型与计算方法 | 第46-47页 |
| §4.3 计算结果与讨论 | 第47-51页 |
| ·0GPa下闪锌矿InN的计算结果与讨论 | 第47-48页 |
| ·闪锌矿InN的几何结构 | 第48页 |
| ·电子结构 | 第48-50页 |
| ·InN的光吸收谱 | 第50-51页 |
| §4.4 结论 | 第51-52页 |
| 第五章 Cr、Mn掺杂InN的电子结构和磁性研究 | 第52-58页 |
| §5.1 引言 | 第52页 |
| §5.2 理论模型与计算方法 | 第52-54页 |
| ·理论模型 | 第52-53页 |
| ·计算方法 | 第53-54页 |
| §5.3 计算结果与讨论 | 第54-57页 |
| ·电子结构 | 第54-56页 |
| ·磁矩分布 | 第56-57页 |
| §5.4 结论 | 第57-58页 |
| 第六章 结论与展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
