当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
电子封装可靠性研究
GaN和AIGaN/GaN的RFP-MBE生长及其特性研究
SiGe-OI新材料制备及其应用的探索研究
烧结炭化硅晶体的制备、结构及光致发光特性
硒化镉（CdSe）单晶体的生长及其性能研究
ECR_PAMOCVD外延生长C_GaN过程中等离子体微参数对衬底预处理的影响
控制技术在GaN薄膜生长过程中的应用
一维量子线的能带计算与分析
低温多晶硅材料及其器件的研究
InGaAs/InP PIN光探测器的激光微细加工制作
Co/ZnO纳米颗粒薄膜的磁特性研究
多孔硅的形成及其光谱研究
薄氧化硅可靠性及击穿机理研究
电子封装中表面贴装焊点的可靠性研究
Au/In等温凝固芯片焊接研究
电子封装SnPbAg焊层热循环可靠性研究
磁隧道结及Co/Cu/Co三明治巨磁电阻效应的研究
AlGaN/GaN异质结二维电子气输运性质
塑封TQFP器件及电子模块封装防潮性能的研究
GaAs基HBT材料的外延生长及其特性研究
宽禁带半导体材料—AIN薄膜的离子束合成与表征
GaAs;Si;Cu光控半导体开关基体材料特性的研究
低维半导体结构有效质量理论
多晶GaN薄膜的制备与特性研究
SR-MOCVD方法沉积ZnO薄膜及其性能研究
CHF3等离子体处理对SiCOH薄膜性能的影响
平板式PECVD设备布气系统的分析和优化
高精度半导体扩散/氧化工艺控制系统的研制
氢化纳米硅薄膜力学及电学性质的研究
P型导电SnO2基薄膜及其同质/异质结的研究
单电子器件的电路模型
磁控溅射高频脉冲（A~2K）电源的研制
基于ECR-PEMOCVD技术的GaMnN薄膜的制备及其表征
热丝化学气相沉积制备微晶硅薄膜的研究
直流脉冲磁控溅射法制备SiN_x/SiN_xO_y薄膜及其性能研究
Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料的水热合成、表征及光学性能研究
ZnO掺杂改性的第一性原理研究
退火处理对LaAlO3薄膜微结构及性能的影响
掺杂SiC薄膜的制备及性能研究
ZnO薄膜的制备与性能分析
微纳结构镍薄膜的制备与超快电子动力学研究
化学增幅光刻胶及其在电子束光刻中的应用
基于应变硅技术的半导体器件的应力分析
机械合金化制备Fe掺杂氧化物稀磁半导体
半导体纳米结构中超快太赫兹光谱与非线性光学特性研究
基于多孔硅的三维PN结结构探索
半导体氧化锌的制备、光学及场发射特性的研究
Fe、Cu共掺杂In2O3稀释磁性半导体的结构和室温铁磁性研究
溶胶凝胶法制备In2O3基稀释磁性半导体及其性质的研究
硅基半导体中微观缺陷和电子结构对材料光电性能的影响
上一页
[72]
[73]
[74]
[75]
[76]
下一页
