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一般性问题
水热法制备ZnSe半导体材料及其性能研究
离子注入制备4H-SiC器件及其温度特性研究
硅基底上小球光散射计算研究
CdZnTe晶体欧姆接触薄膜电极的制备工艺与性能研究
纳米硅和氧化锌纳米结构的制备及应用研究
溶胶—凝胶法制备纳米二氧化钛薄膜及其光致特性研究
钴镍与锗硅薄膜的固相反应及肖特基接触特性研究
ZnO/α-Al2O3（0001）薄膜生长初期的模拟研究
管状ZnO材料自组织可控生长及光电性能的研究
高质量、大直径磷化铟单晶研究
半导体器件的高功率微波毁伤阈值数值计算研究
微电子机械系统中重要材料—多孔硅的制备和应用的研究
半导体器件的高功率微波毁伤阈值实验技术研究
太赫兹场作用下低维半导体光学特性研究
SOI器件的物理效应模拟及其抗总剂量辐射加固技术的研究
GaAs、GaSb基材料生长及其器件研究
零维Ge和一维ZnO纳米结构与器件
SOI材料的光学表征和SOI器件射频性能的研究
掺Er：Al2O3和掺Er：nc-Si/SiO2材料的制备与表征
宽禁带半导体的辐照效应研究
自由电子激光对掺杂半导体及半导体量子阱材料的辐照研究
氮和锗对直拉硅单晶机械性能的影响
电场作用下少子复合率新模型及相关器件的研究
TiO2薄膜制备及其氧敏特性研究
非掺半绝缘砷化镓中位错对碳微区分布的影响
LEC法生长SI-GaAs衬底缺陷对MESFET器件电性能的影响
掺锰（Mn）砷化镓（GaAs）材料特性研究
FED发光薄膜的制备及其性能研究
P型透明导电二氧化锡薄膜的制备及性能研究
偏移场板和场限环终端结构设计方法的研究
CVD制备碳基宽带隙半导体材料及其特性研究
X射线运动学理论及其在半导体外延材料分析中的应用
电子封装残余应力及器件热失效的光测实验和数值模拟研究
用优化算法模拟计算掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格的纵向输运
用于场致发射显示的MIM型电子发射结构的研制
多晶硅薄膜场效应结构的晶粒间界能态分布
感应耦合等离子体刻蚀及应用研究
纳米TiO2的制备、等离子体改性及其性能研究
采用MEMS技术制作硅磁敏三极管研究
极紫外投影光刻中若干关键技术研究
非致冷红外探测材料InGaAs的生长和性质研究
超薄栅氧化层的热稳定性和隧道电流研究
硅基薄膜中半导体颗粒的形成机理及其相关物性
GaN异质外延初始生长条件的优化及其实时监控
LPD方法制作二氧化硅薄膜的研究及其表征
化学液相淀积法制备氧化铝薄膜
多孔硅形成机理及其荧光特性的研究
多孔硅复合ZnO和CdS纳米粒子的光致发光特性
两步生长模式合成一维GaN纳米结构和GaN晶体膜的研究
纳米结构制备和硅单电子晶体管的研究
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