| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-23页 |
| ·碳化硅和金刚石的主要性质及其应用 | 第7-14页 |
| ·碳化硅和金刚石的结构 | 第7-10页 |
| ·碳化硅和金刚石的主要性质 | 第10-13页 |
| ·碳化硅和金刚石的应用 | 第13-14页 |
| ·化学气相沉积碳化硅薄膜和金刚石膜研究概况 | 第14-16页 |
| ·碳化硅薄膜的研究概况 | 第14-15页 |
| ·金刚石薄膜的研究概况 | 第15-16页 |
| ·制备碳化硅和金刚石薄膜的的方法及其表征 | 第16-21页 |
| ·制备碳化硅和金刚石薄膜的方法 | 第16-19页 |
| ·化学气相沉积碳化硅和金刚石薄膜的表征 | 第19-21页 |
| ·论文的选题和主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 PECVD低温生长β-SiC薄膜 | 第23-45页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·PECVD的特点和结构 | 第23-25页 |
| ·样品制备 | 第25页 |
| ·结果与讨论 | 第25-44页 |
| ·衬底温度对沉积β-SiC薄膜的影响 | 第25-29页 |
| ·衬底负偏压对沉积β-SiC薄膜的影响 | 第29-34页 |
| ·氢浓度对沉积β-SiC薄膜的影响 | 第34-38页 |
| ·反应气体比例对沉积β-SiC薄膜的影响 | 第38-41页 |
| ·工作气压对沉积β-SiC薄膜的影响 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 TiSi_2表面沉积HFCVD金刚石薄膜 | 第45-58页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·HFCVD的特点和结构 | 第46-47页 |
| ·样品制备 | 第47-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-58页 |
| ·形核阶段的衬底负偏压对制备金刚石薄膜的影响 | 第48-51页 |
| ·TiSi_2表面与Si衬底上生长的金刚石薄膜场发射特性的对比 | 第51-54页 |
| ·衬底高温对金刚石薄膜结构与成分的影响 | 第54-58页 |
| 第四章 离子辅助轰击法沉积纳米金刚石 | 第58-79页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·样品制备 | 第58-59页 |
| ·工艺参数对制备纳米金刚石薄膜的影响 | 第59-73页 |
| ·衬底负偏流密度对制备纳米金刚石薄膜的影响 | 第59-67页 |
| ·甲烷浓度及工作气压对制备纳米金刚石薄膜的影响 | 第67-71页 |
| ·不同晶粒尺寸的薄膜的场电子发射性能 | 第71-73页 |
| ·持续离子辅助轰击法沉积纳米金刚石的机理分析 | 第73-78页 |
| ·金刚石的核化机制 | 第73-75页 |
| ·纳米金刚石的形成机制 | 第75-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 总结 | 第79-82页 |
| 参考文献 | 第82-91页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93页 |