高质量、大直径磷化铟单晶研究
| 第一章 绪论 | 第1-14页 |
| 1 、 磷化铟的基本属性 | 第7-14页 |
| ·磷化铟300K的基本特性 | 第7-8页 |
| ·磷化铟的物理特性 | 第8-9页 |
| ·磷化铟的光学特性 | 第9-14页 |
| 1 、 论文开展的来源、目的、意义 | 第9-10页 |
| 2 、 论文开展的思路、方法、措施 | 第10-11页 |
| 3 、半导体缺陷和几种实验研究方法 | 第11-14页 |
| 第二章 磷化铟材料合成技术简介 | 第14-19页 |
| 1 、 背景技术简介 | 第14页 |
| 2 、 磷化铟合成技术 | 第14-19页 |
| ·两步法 | 第14-17页 |
| ·水平布里奇曼技术 (HB) | 第15-16页 |
| ·溶质扩散合成技术 (SSD) | 第16-17页 |
| ·一步法 | 第17-19页 |
| ·原位磷注入合成法 | 第17-18页 |
| ·磷液封法 | 第18-19页 |
| 第三章 快速大容量磷注入合成磷化铟材料 | 第19-23页 |
| 1 、 磷注入合成磷化铟材料原理 | 第19-20页 |
| 2 、 实验 | 第20页 |
| 3 、 结果与讨论 | 第20-22页 |
| 4 、 结论 | 第22-23页 |
| 第四章 磷化铟单晶生长技术简介及发展 | 第23-34页 |
| 1 、 磷化铟材料研究简介 | 第23-27页 |
| 2 、 我国磷化铟单晶生长技术简介 | 第27-29页 |
| 3 、 磷化铟单晶材料制备的新进展 | 第29-30页 |
| 4 、 未来磷化铟单晶生长的发展 | 第30-34页 |
| 第五章 高质量、大直径磷化铟单晶生长技术 | 第34-43页 |
| 1 、 引言 | 第34-35页 |
| 2 、 实验和方法 | 第35页 |
| 3 、 降低磷化铟晶体的位错密度 | 第35-38页 |
| 4 、 减少磷化铟晶体的孪晶 | 第38-43页 |
| 第六章 磷化铟单晶材料的性质研究 | 第43-50页 |
| 1 、 半绝缘磷化铟形成机理的新进展 | 第43-45页 |
| 2 、 利用正电子湮没技术研究半绝缘磷化铟的性质 | 第45-50页 |
| 第七章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 发表论文和参加科研情况及获奖情况 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
