氮和锗对直拉硅单晶机械性能的影响
| 第1章 文献综述 | 第1-36页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·掺杂原子和位错的作用原理 | 第10-12页 |
| ·单个原子对位错的作用 | 第10-11页 |
| ·杂质原子沉淀对位错的影响 | 第11-12页 |
| ·常用的研究位错的方法 | 第12页 |
| ·杂质原子对硅单晶机械性能的影响 | 第12-13页 |
| ·杂质原子对硅单晶脆性断裂的影响 | 第12-13页 |
| ·杂质原子对硅单晶屈服强度的影响 | 第13页 |
| ·氧原子对硅单晶机械性能的影响 | 第13-21页 |
| ·间隙氧原子对硅单晶中位错的作用 | 第14-16页 |
| ·间隙氧原子对硅单晶塑性变形的影响 | 第16-18页 |
| ·氧沉淀对硅单晶机械强度的影响 | 第18-21页 |
| ·氮杂质对直拉硅单晶力学性能的影响 | 第21-25页 |
| ·氮对区熔单晶硅机械性能的影响 | 第21-22页 |
| ·氮对直拉单晶硅中氧的行为的影响 | 第22-23页 |
| ·氮对直拉单晶硅机械性能的影响 | 第23-25页 |
| ·锗杂质对直拉硅单晶性能的影响 | 第25-28页 |
| ·锗对硅单晶电学性能的影响 | 第25-26页 |
| ·锗对硅单晶中氧的行为的影响 | 第26-27页 |
| ·锗杂质对硅的机械性能的影响 | 第27-28页 |
| ·碳杂质对直拉硅单晶性能的影响 | 第28-30页 |
| ·碳杂质对硅中的氧行为的影响 | 第28-29页 |
| ·碳对硅单晶机械性能的影响 | 第29-30页 |
| ·重掺硅单晶中位错的行为 | 第30-34页 |
| ·电学掺杂原子对位错滑移的临界应力的影响 | 第31页 |
| ·电学掺杂原子对位错的滑移速率的影响 | 第31-33页 |
| ·电学掺杂原子对位错的解锁应力的作用 | 第33-34页 |
| ·重掺硼硅单晶的机械性能 | 第34页 |
| ·小结 | 第34-36页 |
| 第2章 压痕法研究硅单晶中位错运动的主要实验参数 | 第36-43页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·实验的原理及过程 | 第36-37页 |
| ·实验结果和讨论 | 第37-41页 |
| ·加载载荷对位错滑移距离的影响 | 第37-38页 |
| ·加载时间对位错滑移距离的影响 | 第38页 |
| ·热处理时间对位错滑移的影响 | 第38-40页 |
| ·热处理温度对位错最大滑移距离的影响 | 第40-41页 |
| ·晶面对位错滑移距离的影响 | 第41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第3章 氮对重掺锑硅单晶中位错的影响 | 第43-48页 |
| ·摘要 | 第43页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·实验 | 第44页 |
| ·实验结果和讨论 | 第44-47页 |
| ·结论 | 第47-48页 |
| 第4章 锗对直拉硅单晶中位错运动的影响 | 第48-55页 |
| ·摘要 | 第2-48页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·实验 | 第49-50页 |
| ·试验结果和讨论 | 第50-54页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| 第5章 锗对直拉硅单晶室温断裂强度的影响 | 第55-68页 |
| ·摘要 | 第55页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·试验过程 | 第56-57页 |
| ·试验结果和讨论 | 第57-66页 |
| ·误差和数据离散性分析 | 第57-59页 |
| ·锗和碳杂质对原生硅片断裂强度的影响 | 第59-60页 |
| ·锗杂质对含有氧沉淀核心的硅片的断裂强度的影响 | 第60-61页 |
| ·锗杂质对含有氧沉淀的硅片的断裂强度的影响#s3 | 第61-66页 |
| ·裂纹及断口形貌分析 | 第66-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 第6章 结论和展望 | 第68-80页 |
