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电场作用下少子复合率新模型及相关器件的研究

第一章 文献综述第1-25页
   ·研究意义第7-8页
   ·器件模拟及器件模型的重要性第8-10页
   ·Poole-Frenkel效应第10-13页
   ·少子复合率模型研究现状第13-25页
第二章 器件模拟原理及常用软件第25-39页
   ·器件模拟原理第25-33页
   ·常用器件模拟软件第33-34页
   ·Medici介绍第34-39页
第三章 硅基半导体器件少子复合率新模型第39-48页
   ·理论推导第39-44页
   ·模型修正及简化第44-47页
 附录第47-48页
第四章 新模型下硅基半导体器件特性的模拟第48-60页
   ·器件特性模拟方法第48-49页
   ·模拟结果与讨论第49-60页
第六章 结束语第60-61页
参考文献第61-65页

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