| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 零维和一维半导体纳米结构综述 | 第9-27页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·半导体零维纳米结构 | 第10-14页 |
| ·硅基零维纳米结构 | 第10-13页 |
| ·硅基零维纳米结构的应用 | 第10-12页 |
| ·硅基零维纳米结构的制备 | 第12-13页 |
| ·其它零维半导体纳米结构 | 第13-14页 |
| ·半导体一维纳米结构 | 第14-22页 |
| ·碳纳米管 | 第14-17页 |
| ·碳纳米管及其制备 | 第14-15页 |
| ·碳纳米管的应用 | 第15-17页 |
| ·硅纳米线 | 第17-19页 |
| ·硅纳米线的制备 | 第17页 |
| ·硅纳米线的应用 | 第17-19页 |
| ·其它一维半导体纳米结构 | 第19-21页 |
| ·一维ZnO纳米结构 | 第19-20页 |
| ·一维GaN纳米结构 | 第20-21页 |
| ·一维半导体纳米结构的组装 | 第21-22页 |
| ·本论文工作 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-27页 |
| 第二章 Al_2O_3埋嵌Ge纳米结构的三次光学非线性研究 | 第27-35页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·基本理论和测量技术 | 第27-29页 |
| ·材料制备和表征 | 第29-30页 |
| ·Al_2O_3埋嵌Ge纳米结构的制备 | 第29页 |
| ·结构表征 | 第29页 |
| ·线性吸收谱测试 | 第29页 |
| ·Z-扫描测试 | 第29-30页 |
| ·测试结果和讨论 | 第30-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第三章 高栅介质埋嵌Ge纳米晶及其电子存储特性 | 第35-49页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·纳米晶浮栅存储器简介 | 第36-37页 |
| ·材料制备 | 第37-38页 |
| ·结果和讨论 | 第38-46页 |
| ·Al_2O_3／Ge+Al_2O_3／Al_2O_3的结构分析 | 第38-40页 |
| ·Al_2O_3／Ge+Al_2O_3／Al_2O_3的电学特性 | 第40-44页 |
| ·ZrO_2／Ge+Al_2O_3／Al_2O_3的电学特性 | 第44-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 热蒸发法制备一维ZnO纳米结构 | 第49-63页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·一维ZnO纳米结构的制备 | 第50-59页 |
| ·四角状ZnO纳米结构的制备 | 第50-56页 |
| ·快速制备大量ZnO纳米线 | 第56-59页 |
| ·一维ZnO纳米结构生长模式的讨论 | 第59-61页 |
| ·小结 | 第61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第五章 ZnO纳米线的光电特性研究 | 第63-75页 |
| ·引言 | 第63页 |
| ·ZnO纳米线的光学、电学表征 | 第63-69页 |
| ·ZnO纳米线的光学特性 | 第63-67页 |
| ·ZnO纳米线的电学特性 | 第67-69页 |
| ·单根ZnO纳米线的电学特性 | 第69-73页 |
| ·单根ZnO纳米线的获得 | 第69-71页 |
| ·单根ZnO纳米线器件的制作 | 第71-72页 |
| ·单根ZnO纳米线器件的电学测试 | 第72-73页 |
| ·小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 第六章 一维ZnO纳米结构的电子场发射研究 | 第75-84页 |
| ·引言 | 第75-76页 |
| ·电子场发射试验 | 第76-77页 |
| ·结果和讨论 | 第77-81页 |
| ·小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 第七章 ZnO纳米线传感器的制作及其气敏特性 | 第84-93页 |
| ·引言 | 第84-85页 |
| ·ZnO纳米线传感器的制作和测试 | 第85-87页 |
| ·气敏测试结果和讨论 | 第87-90页 |
| ·器件对乙醇的敏感特性 | 第87-89页 |
| ·器件对其他气体的敏感特性 | 第89-90页 |
| ·ZnO纳米线气敏机理的讨论 | 第90-91页 |
| ·小结 | 第91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 第八章 ZnO纳米线的室温氢存储研究 | 第93-99页 |
| ·引言 | 第93页 |
| ·ZnO纳米线氢存储测试原理 | 第93-94页 |
| ·ZnO纳米线氢存储结果和讨论 | 第94-97页 |
| ·小结 | 第97页 |
| 参考文献 | 第97-99页 |
| 第九章 四角状ZnO纳米结构光催化特性研究 | 第99-107页 |
| ·引言 | 第99-100页 |
| ·半导体光催化降解污染物的原理 | 第100-101页 |
| ·四角状ZnO纳米结构光催化试验 | 第101-102页 |
| ·四角状ZnO纳米结构光催化降解罗丹明B结果和讨论 | 第102-104页 |
| ·四角状ZnO纳米结构和TiO_2纳米颗粒光催化性能对比 | 第104-106页 |
| ·小结 | 第106页 |
| 参考文献 | 第106-107页 |
| 第十章 总结和展望 | 第107-114页 |
| ·总结 | 第107-108页 |
| ·展望 | 第108-112页 |
| ·一维半导体纳米结构的自组装 | 第108-111页 |
| ·一维半导体纳米结构的掺杂 | 第111-112页 |
| ·ZnO一维纳米结构的P型掺杂 | 第111-112页 |
| ·一维半导体纳米结构的磁性离子掺杂 | 第112页 |
| 参考文献 | 第112-114页 |
| 硕博连读期间发表的论文和专利目录 | 第114-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 作者简历 | 第120页 |
