| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| §1．1 等离子体干法刻蚀技术的历史及发展 | 第8-10页 |
| 1．1．1 历史背景 | 第8-9页 |
| 1．1．2 等离子体干法刻蚀技术的发展 | 第9-10页 |
| 1．1．3 等离子体干法刻蚀技术的重大应用领域 | 第10页 |
| §1．2 本文研究的目的、意义和基本内容 | 第10-12页 |
| 第二章 ICP产生技术与干法刻蚀原理 | 第12-24页 |
| §2．1 感应耦合等离子体原理及产生方式 | 第12-19页 |
| 2．1．1 感应耦合等离子体原理 | 第12-16页 |
| 2．1．2 感应耦合等离子体产生方式 | 第16-19页 |
| §2．2 等离子体干法刻蚀原理 | 第19-22页 |
| 2．2．1 等离子体刻蚀中的化学过程 | 第19-20页 |
| 2．2．2 等离子体干法刻蚀机理 | 第20-22页 |
| 2．2．3 CHClF_2等离子体刻蚀InSb-In原理 | 第22页 |
| §2．3 小结 | 第22-24页 |
| 第三章 ICP等离子体参数特性 | 第24-61页 |
| §3．1 静电探针诊断原理 | 第24-30页 |
| 3．1．1 单探针诊断原理 | 第24-26页 |
| 3．1．2 双探针诊断原理 | 第26-30页 |
| §3．2 等离子体参数分布特性 | 第30-59页 |
| 3．2．1 30mm高反应室离子密度、电子温度分布规律 | 第30-44页 |
| 3．2．2 50mm高反应室离子密度、电子温度分布规律 | 第44-56页 |
| 3．2．3 30mm高反应室与50mm高反应室部分位置参数比较 | 第56-59页 |
| §3．3 小结 | 第59-61页 |
| 第四章 感应耦合等离子体刻蚀系统 | 第61-67页 |
| §4．1 真空系统 | 第61-62页 |
| §4．2 射频系统 | 第62-64页 |
| §4．3 反应室及进气系统 | 第64-66页 |
| §4．4 小结 | 第66-67页 |
| 第五章 ICP刻蚀实验与结果分析 | 第67-73页 |
| §5．1 试验装置 | 第67页 |
| §5．2 试验步骤 | 第67-68页 |
| §5．3 试验结果与分析 | 第68-72页 |
| §5．4 小结 | 第72-73页 |
| 结论 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 发表待发表论文及专利 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
