宽禁带半导体的辐照效应研究
| 第一章 综述 | 第1-22页 |
| ·SiC半导体材料和工艺 | 第10-14页 |
| ·SiC材料 | 第10-12页 |
| ·SiC的工艺 | 第12-14页 |
| ·GaN材料和工艺 | 第14-17页 |
| ·GaN材料基本性质 | 第14-16页 |
| ·GaN的工艺 | 第16-17页 |
| ·半导体辐射损伤原理 | 第17-22页 |
| ·电子辐照 | 第18-19页 |
| ·中子辐照 | 第19页 |
| ·辐照缺陷对材料的影响 | 第19-22页 |
| 第二章 光致发光谱原理 | 第22-28页 |
| ·半导体中的发光过程 | 第22-26页 |
| ·自由载流子复合—导带-价带复合 | 第22-23页 |
| ·自由激子复合 | 第23-24页 |
| ·本征带-浅杂质复合 | 第24-25页 |
| ·束缚激子复合 | 第25页 |
| ·施主受主对辐射复合 | 第25-26页 |
| ·通过深能级的复合 | 第26页 |
| ·低温光致发光测试技术 | 第26-28页 |
| 第三章 GaN、6H-SiC辐照缺陷光致发光研究 | 第28-42页 |
| ·GaN光致发光(PL)研究 | 第28-32页 |
| ·样品参数及实验设备 | 第28页 |
| ·实验结果及讨论 | 第28-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| ·n型6H-SiC LTPL研究 | 第32-37页 |
| ·样品参数及实验设备 | 第32-33页 |
| ·实验结果和讨论 | 第33-37页 |
| ·小结 | 第37页 |
| ·p型6H-SiC的LTPL实验 | 第37-39页 |
| ·样品参数及实验设备 | 第37页 |
| ·实验结果及讨论 | 第37-39页 |
| ·小结 | 第39页 |
| 参考文献 | 第39-42页 |
| 第四章 6H-SiC辐照诱生缺陷DLTS研究 | 第42-47页 |
| ·样品的制备 | 第42-43页 |
| ·实验结果和讨论 | 第43-45页 |
| ·小结 | 第45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第五章 电子辐照导致GaN器件失效现象的研究 | 第47-54页 |
| ·样品参数 | 第47页 |
| ·样品辐照后失效现象 | 第47-49页 |
| ·失效原因分析 | 第49-53页 |
| ·SEM对表面成分的分析 | 第49-51页 |
| ·FAM对表面结构的分析 | 第51-52页 |
| ·讨论 | 第52-53页 |
| ·小结 | 第53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 总结 | 第54-56页 |
| 科研成果简介 | 第56页 |
| 声明 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
