| 第一章 文献综述 | 第1-25页 |
| 1-1 GaAs材料的结构、特点及应用 | 第9-13页 |
| 1-1-1 GaAs材料的结构 | 第9-10页 |
| 1-1-2 GaAs材料的特性 | 第10-12页 |
| 1-1-3 GaAs材料的应用领域和市场前景 | 第12-13页 |
| 1-1-4 SI-GaAs材料特性 | 第13页 |
| 1-2 GaAs单晶生长工艺 | 第13-15页 |
| 1-2-1 GaAs单晶生长 | 第14-15页 |
| 1-2-2 SI-GaAs单晶生长 | 第15页 |
| 1-3 GaAs晶体中的缺陷 | 第15-18页 |
| 1-3-1 GaAs晶体中点缺陷 | 第16页 |
| 1-3-2 GaAs晶体中位错 | 第16-18页 |
| 1-4 SI-GaAs晶体中的缺陷 | 第18-22页 |
| 1-4-1 SI-GaAs中主要剩余电活性杂质 | 第18页 |
| 1-4-2 SI-GaAs中主要点缺陷 | 第18-19页 |
| 1-4-3 SI-GaAs单晶中位错及分布 | 第19-20页 |
| 1-4-4 SI-GaAs单晶中胞状结构的本质和形成机理 | 第20-22页 |
| 1-5 研究非掺LEC法拉制的SI-GaAs单晶中碳微区分布的重要意义 | 第22-23页 |
| 1-6 本论文研究重点和实验方法的确定 | 第23-25页 |
| 第二章 SI-GaAs中主要点缺陷As沉淀、EL2和C受主缺陷 | 第25-34页 |
| 2-1 As沉淀及其对EL2的影响 | 第25-26页 |
| 2-2 EL2施主中心 | 第26-29页 |
| 2-2-1 EL2深施主缺陷及其构成模型 | 第26-27页 |
| 2-2-2 EL2的浓度及其分布 | 第27-29页 |
| 2-3 碳受主缺陷 | 第29-32页 |
| 2-3-1 碳杂质的引入 | 第29-30页 |
| 2-3-2 碳杂质的萃取 | 第30页 |
| 2-3-3 影响单晶中碳浓度的因素 | 第30-31页 |
| 2-3-4 GaAs单晶中碳的分布 | 第31页 |
| 2-3-5 C对LEC SI-GaAs材料特性的影响 | 第31-32页 |
| 2-4 LEC SI-GaAs中电学补偿机理分析 | 第32-34页 |
| 第三章 SI-GaAs中位错的显示腐蚀方法 | 第34-40页 |
| 3-1 AB腐蚀 | 第34-35页 |
| 3-1-1 腐蚀法的原理 | 第34页 |
| 3-1-2 电化学腐蚀条件及腐蚀液各成分的作用 | 第34-35页 |
| 3-2 腐蚀过程 | 第35-37页 |
| 3-2-1 样品准备 | 第35-36页 |
| 3-2-2 AB腐蚀液配制 | 第36页 |
| 3-2-3 腐蚀工艺 | 第36-37页 |
| 3-3 腐蚀结果及分析 | 第37-40页 |
| 第四章 透射电镜能谱分析研究SI-GaAs中碳的微区分布 | 第40-48页 |
| 4-1 透射电镜能谱分析原理及样品制备 | 第40-42页 |
| 4-1-1 透射电镜能谱分析原理 | 第40页 |
| 4-1-2 透射电镜样品制备 | 第40-41页 |
| 4-1-3 位错成像衬度分析 | 第41-42页 |
| 4-2 透射电镜能谱分析研究SI-GaAs单晶中碳的微区分布 | 第42-48页 |
| 4-2-1 样品准备及实验 | 第43页 |
| 4-2-2 实验结果 | 第43-46页 |
| 4-2-3 结果分析及讨论 | 第46-48页 |
| 第五章 EPMA分析SI-GaAs中C受主的微区分布 | 第48-56页 |
| ·电子探针X射线微区分析仪原理 | 第48-49页 |
| 5-1-1 电子探针基本原理 | 第48-49页 |
| 5-1-2 X射线波谱仪原理 | 第49页 |
| 5-2 EPMA分析非掺LEC SI-GaAs中碳的微区分布 | 第49-56页 |
| 5-2-1 样品及实验 | 第49-50页 |
| 5-2-2 实验结果 | 第50-54页 |
| 5-2-3 结果分析及讨论 | 第54-55页 |
| 5-2-4 小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第61页 |
