| 第一章 引言 | 第1-10页 |
| 第二章 自由电子激光 | 第10-15页 |
| ·自由电子激光的工作原理 | 第10-11页 |
| ·自由电子激光的特点 | 第11-12页 |
| ·北京自由电子激光装置 | 第12-14页 |
| ·自由电子激光的应用前景 | 第14-15页 |
| 第三章 掺杂半导体及半导体量子阱材料 | 第15-23页 |
| ·掺杂半导体 | 第15-18页 |
| ·量子阱材料 | 第18-23页 |
| ·定义 | 第19-20页 |
| ·分类 | 第20-21页 |
| ·量子阱红外探测器 | 第21-23页 |
| 第四章 强激光辐照下的浅能级杂质基态及第一激发态束缚能的计算 | 第23-45页 |
| ·引言 | 第23-25页 |
| ·浅能级杂质电离能的计算方法 | 第25-34页 |
| ·分析计算 | 第34-39页 |
| ·空间变换 | 第34-37页 |
| ·变分法计算 | 第37-38页 |
| ·极限条件下的近似结果 | 第38-39页 |
| ·数值结果 | 第39-43页 |
| ·讨论 | 第43-44页 |
| ·结论 | 第44-45页 |
| 第五章 GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器对北京自由电子激光的光电响应测试 | 第45-58页 |
| ·引言 | 第45-48页 |
| ·红外光源的发展及其应用于半导体材料研究的进展 | 第45-46页 |
| ·自由电子激光应用于GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器光电响应测试 | 第46-48页 |
| ·实验的建立和方案 | 第48-51页 |
| ·样品结构 | 第48-49页 |
| ·样品的准备 | 第49页 |
| ·实验装置及线路 | 第49-50页 |
| ·辐照源条件 | 第50-51页 |
| ·实验方法 | 第51页 |
| ·实验结果和讨论 | 第51-57页 |
| ·结论 | 第57-58页 |
| 结束语 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第62-63页 |
| 声明 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-72页 |
