当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
金属纳米线的制备及其偏光特性研究
ZnO薄膜的制备及氨化Ga2O3/ZnO薄膜合成一维GaN纳米结构的研究
硅基SiC中间层辅助法合成GaN薄膜和纳米线的研究
多孔硅/纳米氧化锌复合材料发光的研究
SiC/SiO2纳米复合薄膜和低维ZnO纳米结构的制备及其特性研究
新型结构半导体材料的制备与表征
半导体器件噪声—可靠性诊断方法研究
新型材料中过渡金属激活离子的磁相互作用及其微观自旋哈密顿理论研究
硅肖特基源漏MOSFET的模拟研究
碳化硅离子注入及欧姆接触的研究
注入钒形成碳化硅半绝缘层的理论和技术研究
单晶炉勾形磁场的优化设计与实现
纳米ZnO薄膜的制备及光学特性的研究
溶胶—凝胶法制备ZnO薄膜及其发光特性研究
金刚石薄膜的高速生长工艺研究
宽禁带半导体纳米结构制备及其场发射应用研究
多孔硅、纳米金属颗粒复合材料的制备及表征
基于多孔硅衬底的纳米薄膜材料的制备与表征
应用于微纳机电器件制造的电化学深刻蚀技术
硅(001)表面上硅化铒纳米结构的扫描隧道电子显微镜研究
Ⅰ 金属有机络合物薄膜的传质行为与热稳定性研究 Ⅱ PET中心辐射剂量监测与防护
金属有机配合物M-TCNQ微纳米结构的制备及电学性能研究
镶嵌在SiO2介质中的纳米晶Si的制备及其光致发光特性研究
硅基高κ材料的分子束外延生长
CVD金刚石薄膜的制备及其特性和器件化研究
新型聚对苯乙炔(PPV)衍生物的合成及其在发光二极管和太阳电池中的应用研究
ZnO半导体光电材料的制备及其性能的研究
可变线宽的无掩膜光刻理论与技术研究
Al-N共掺法生长p型ZnO及ZnO同质p-n结的制备
功率器件无铅焊料焊接层可靠性研究
新结构SOI材料与器件物理研究
SGOI材料的SIMOX制备技术研究
厚膜SOI材料和SiGeOI材料制备研究
离子注入掺Er富硅氧化硅材料研究
SOI基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备
埋嵌在高k介质中Ge纳米晶的制备及其电荷存储特性的研究
Al-N共掺法制备P型ZnO及其性能研究
单片OEICs光器件的激光微细加工研制
MEMS中多孔硅基本特性及绝热性能研究
大直径直拉硅片的一种新型内吸杂工艺研究
宽带p型CuSCN薄膜的电沉积、结构与性能的研究
离子层气相反应法(ILGAR)制备硫属半导体薄膜的研究
SRO薄膜的直流溅射生长
有机电致发光器件的制备工艺及性能研究
多孔硅的光电特性研究及阵列化多孔硅的制备
利用掺锗的重掺硼硅衬底生长无失配位错的p/p~+硅外延片
金属修饰的负载型复合半导体的制备及光催化CO2和丙烷合成异丁烯醛的反应性能
VLSI曝光成像效果的技术研究
硒化镉室温核辐射探测器的表面电极研究
ZnO微管材料及光电性能研究
上一页
[68]
[69]
[70]
[71]
[72]
下一页