| 第一章 文献综述 | 第1-27页 |
| ·引言 | 第10-13页 |
| ·锗硅薄膜的固相结晶 | 第13-15页 |
| ·钴镍与锗硅薄膜的固相反应 | 第15-17页 |
| ·钴镍与锗硅的肖特基接触特性 | 第17-21页 |
| ·多晶锗硅薄膜晶体管 | 第21-23页 |
| ·全文研究内容和结构 | 第23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 锗硅薄膜的制备与表征 | 第27-38页 |
| ·引言 | 第27-28页 |
| ·实验 | 第28-29页 |
| ·衬底选择和化学清洗 | 第28页 |
| ·锗硅薄膜的淀积和磷、硼扩散 | 第28-29页 |
| ·锗硅薄膜的表征 | 第29-37页 |
| ·物理表征 | 第30-35页 |
| ·X射线衍射谱 | 第30-33页 |
| ·XTEM图象及Raman测试 | 第33-35页 |
| ·俄歇电子谱 | 第35页 |
| ·电学特性 | 第35-37页 |
| ·薄层电阻 | 第35-36页 |
| ·Hall迁移率和载流子浓度 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第三章 锗硅薄膜的结晶研究 | 第38-55页 |
| ·引言 | 第38-40页 |
| ·锗硅薄膜的结晶研究 | 第40-53页 |
| ·离子轰击与结晶 | 第40页 |
| ·常规炉退火结晶 | 第40-48页 |
| ·退火温度的影响 | 第41-43页 |
| ·退火时间的影响 | 第43-48页 |
| ·快速热退火结晶 | 第48-53页 |
| ·XRD谱 | 第48-50页 |
| ·RTA温度与结晶的关系 | 第48-49页 |
| ·RTA时间与结晶的关系 | 第49-50页 |
| ·Raman光谱 | 第50-52页 |
| ·FTIR光谱 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第四章 钴镍与锗硅薄膜的固相反应 | 第55-75页 |
| ·引言 | 第55-57页 |
| ·Co／n-poly-SiGe固相反应研究 | 第57-72页 |
| ·样品制备 | 第57页 |
| ·物理表征 | 第57-64页 |
| ·XRD谱 | 第57-60页 |
| ·AES谱 | 第60-64页 |
| ·Co／n-poly-Si_(1-x)Ge_x反应的热力学分析 | 第64页 |
| ·Co(30nm)／Ti(5nm)／n-poly-SiGe(300nm)固相反应 | 第64-65页 |
| ·薄层电阻 | 第65-70页 |
| ·Co／n-poly-Si_(1-x)Ge_x／SiO_2的薄层电阻 | 第65-66页 |
| ·Co／n-poly-Si_(1-x)Ge_x／SiO_2的表面粗糙度 | 第66-68页 |
| ·Co／n-poly-Si_(1-x)Ge_x、n-poly-Si与n-Si薄层电阻的比较 | 第68-69页 |
| ·Co／n-poly-Si_(1-x)Ge_x与Co／i-a-Si_(1-x)Ge_x薄层电阻的比较 | 第69页 |
| ·包含Co与n-poly-Si_(1-x)Ge_x的多层薄膜反应系统的薄层电阻 | 第69-70页 |
| ·Ni／poly-SiGe固相反应 | 第70-72页 |
| ·XRD谱 | 第70-71页 |
| ·AES谱 | 第71页 |
| ·Ni／poly-SiGe薄层电阻 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 第五章 钴镍与锗硅薄膜的肖特基接触特性 | 第75-102页 |
| ·引言 | 第75-78页 |
| ·Co、Ni／n-poly-Si_(1-x)Ge_x肖特基接触特性研究 | 第78-99页 |
| ·样品制备 | 第78页 |
| ·Co、Ni／n-poly-Si_(1-x)Ge_x肖特基接触特性 | 第78-84页 |
| ·Co、Ni／n-poly-Si_(1-x)Ge_x的I-V特性 | 第78-80页 |
| ·Co／n，p-poly-Si_(1-x)Ge_x肖特基接触 | 第80-81页 |
| ·Co／n-poly-Si_(1-x)Ge_x肖特基结的C-V特性 | 第81-83页 |
| ·Co／n-poly-Si_(1-x)Ge_x不同退火温度下的AFM图 | 第83-84页 |
| ·Co在几种半导体材料上的肖特基接触研究 | 第84-88页 |
| ·Co／undoped-Si肖特基接触特性 | 第84-85页 |
| ·Co／n，p-Si肖特基接触特性 | 第85-87页 |
| ·Co／undoped-Si_(1-x)Ge_x肖特基接触特性 | 第87-88页 |
| ·Co膜厚度同SBH的关系 | 第88页 |
| ·n-poly-Si_(1-x)Ge_x与Ni、V、W、Cu、Pt、Ti、Al的肖特基接触 | 第88-91页 |
| ·SBH与金属功函数的关系 | 第89页 |
| ·快速热退火对接触参数的影响 | 第89-91页 |
| ·Co／n-poly-Si_(1-x)Ge_x肖特基接触的不均匀性研究 | 第91-99页 |
| ·Co／n-poly-Si_(1-x)Ge_x肖特基结的I-V-T特性 | 第91-96页 |
| ·分析与讨论 | 第96-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-102页 |
| 第六章 锗硅作为p沟道薄膜晶体管材料的初步研究 | 第102-109页 |
| ·引言 | 第102-103页 |
| ·poly-SiGe MOS特性 | 第103-104页 |
| ·几种MOS结构I-V特性 | 第103页 |
| ·几种MOS结构C-V特性 | 第103-104页 |
| ·p-poly-SiGe薄膜晶体管 | 第104-107页 |
| ·p-poly-SiGe TFT简要制程 | 第105-107页 |
| ·p-poly-SiGe TFT特性测试 | 第107页 |
| ·本章小结 | 第107页 |
| 参考文献 | 第107-109页 |
| 第七章 全文总结 | 第109-111页 |
| ·主要研究成果 | 第109-110页 |
| ·有待于进一步研究的问题 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 发表论文情况 | 第112-113页 |
