| 第一章 引言 | 第1-14页 |
| 第二章 GaSb中红外量子阱材料结构设计、分子束外延及其光学性能 | 第14-57页 |
| ·中红外锑化物量子阱半导体激光器 | 第16-24页 |
| ·量子阱、超晶格 | 第17-19页 |
| ·中红外锑化物量子阱半导体激光器研究现状 | 第19-24页 |
| ·分子束外延 | 第24-28页 |
| ·存在问题 | 第28-29页 |
| ·In_(0.35)Ga(0.65)Sb／In(0.35)Ga_0.65)As(0.1)Sb(0.9)／In(0.35)Ga(0.65)Sb／Al(0.35)Ga(0.65)Sb量子阱设计 | 第29-40页 |
| ·晶格常数和晶格失配 | 第31-34页 |
| ·禁带宽度 | 第34-36页 |
| ·量子阱能带结构 | 第36-40页 |
| ·分子束外延生长 | 第40-47页 |
| ·分子束外延生长工艺 | 第41-43页 |
| ·生长速率和束流的测量、校准 | 第43-45页 |
| ·Ⅴ／Ⅲ束流比 | 第45页 |
| ·衬底生长温度 | 第45-46页 |
| ·量子阱结构生长 | 第46-47页 |
| ·量子阱的光致发光 | 第47-51页 |
| ·快门开关顺序对量子阱光致发光的影响 | 第47-48页 |
| ·外延层厚度对量子阱光致发光的影响 | 第48-51页 |
| ·不同温度和激发功率下的量子阱光致发光特性 | 第51页 |
| ·结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 第三章 A1GaInP／GaAs异质结双极晶体管(HBT)研究 | 第57-85页 |
| ·异质结双极晶体管 | 第57-62页 |
| ·异质结特性 | 第57-59页 |
| ·异质结双极晶体管原理 | 第59-61页 |
| ·异质结双极晶体管特性 | 第61-62页 |
| ·AlGaInP／GaAs HBT | 第62-63页 |
| ·存在问题 | 第63-66页 |
| ·AlGaInP／GaAs HBT制备 | 第66-70页 |
| ·AlGaInP／GaAs HBT工艺 | 第67-70页 |
| ·电学特性的测量 | 第70-71页 |
| ·集电结能带结构 | 第71-75页 |
| ·AlGaInP／GaAs HBT的电学性能 | 第75-81页 |
| ·AlGaInP／GaAs HBT输出特性 | 第75-78页 |
| ·AlGaInP／GaAs HBT Gummel图 | 第78页 |
| ·AlGaInP／GaAs HBT的开启电压 | 第78-81页 |
| ·结论 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |
| 第四章 欧姆接触电阻率测试仪研制及GaAs欧姆接触研究 | 第85-115页 |
| ·金属-半导体接触 | 第85-94页 |
| ·金属-半导体接触原理 | 第85-87页 |
| ·接触电阻率 | 第87-89页 |
| ·欧姆接触的质量评价 | 第89-90页 |
| ·金属-Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体欧姆接触的制作 | 第90-92页 |
| ·n-GaAs的欧姆接触 | 第92-94页 |
| ·欧姆接触电阻率测试仪研制 | 第94-105页 |
| ·各欧姆接触电阻率测试方法原理 | 第95-101页 |
| ·欧姆接触电阻率测试仪结构 | 第101-103页 |
| ·欧姆接触电阻率测试程序 | 第103-105页 |
| ·~(29)Si~+注入n-GaAs欧姆接触研究 | 第105-111页 |
| ·~(29)Si~+注入n-GaAs制备 | 第105-107页 |
| ·~(29)Si~+注入n-GaAs欧姆接触流片工艺 | 第107-110页 |
| ·~(29)Si~+注入n-GaAs欧姆接触电阻率 | 第110-111页 |
| ·小结 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-115页 |
| 第五章 结论 | 第115-117页 |
| 发表文章 | 第117-118页 |
| 个人简介 | 第118-119页 |
| 致谢 | 第119页 |
