两步生长模式合成一维GaN纳米结构和GaN晶体膜的研究

摘要	第1-6页
Abstract	第6-9页
第一章 绪论	第9-21页
·GaN的特性	第9-12页
·GaN薄膜研究进展	第12-17页
·一维GaN纳米材料研究进展	第17-19页
·选题依据	第19-21页
第二章 实验设备	第21-27页
·两步生长模式所使用的设备系统	第21-25页
·实验中所需要的主要材料和试剂	第25-26页
·样品的测试和表征	第26-27页
第三章 两步生长模式合成一维GaN纳米材料	第27-46页
·氮化溅射Ga_2O_3薄膜合成一维GaN纳米线	第27-31页
·鱼骨形GaN纳米线的合成	第31-35页
·氮化电泳Ga_2O_3薄膜合成一维GaN纳米线	第35-39页
·一维GaN纳米结构生长的生长规律	第39-43页
·两步模式合成一维GaN纳米结构的生长机制初探	第43-46页
第四章 两步生长模式制备GaN晶体膜	第46-56页
·在扩Ga的Si衬底上生长高质量的GaN晶体膜	第46-48页
·GaN晶体膜的特性分析	第48-54页
·影响GaN薄膜生长的因素	第54-56页
第五章 结论	第56-59页
·本论文的主要研究结果	第56-57页
·对今后研究工作的建议	第57-59页
参考文献	第59-65页
致谢	第65-66页
附录1: 作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录	第66-68页
附录2: 部分已发表或要发表的论文复印件	第68-89页