半导体器件的高功率微波毁伤阈值实验技术研究
| 摘 要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目 录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| ·高功率微波武器现状 | 第11-14页 |
| ·高功率微波武器是未来重要电子战武器系统 | 第11-12页 |
| ·高功率微波的发展现状 | 第12-14页 |
| ·半导体器件的高功率微波损毁阈值研究的重要性 | 第14页 |
| ·研究高功率微波实验系统的意义 | 第14-15页 |
| ·主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 微波对半导体器件的效应 | 第16-31页 |
| ·高功率微波效应简介 | 第16-25页 |
| ·热效应 | 第16-17页 |
| ·生物效应 | 第17-19页 |
| ·电效应 | 第19-23页 |
| ·电子效应 | 第23-25页 |
| ·半导体器件受微波照射的主要失效机理 | 第25-31页 |
| ·MOS结构 | 第25-27页 |
| ·结型半导体 | 第27-28页 |
| ·膜电阻器 | 第28-29页 |
| ·金属化条 | 第29页 |
| ·非导电封装盖板的钝化场效应结构 | 第29-30页 |
| ·压电晶体器件 | 第30页 |
| ·小间距电极结构 | 第30-31页 |
| 第三章 场分布的计算 | 第31-57页 |
| ·电磁场问题求解方法分类 | 第31-36页 |
| ·解析法 | 第31-33页 |
| ·数值法 | 第33-34页 |
| ·半解析数值法 | 第34-36页 |
| ·当前计算电磁学中的几种重要方法 | 第36-42页 |
| ·有限元法 | 第36-39页 |
| ·时域有限差分法 | 第39-40页 |
| ·矩量法 | 第40-42页 |
| ·电磁场问题求解依据 | 第42-49页 |
| ·麦克斯韦方程组 | 第42-44页 |
| ·波动方程 | 第44-45页 |
| ·边界条件 | 第45-47页 |
| ·辐射条件 | 第47-49页 |
| ·有限元方法的基本步骤 | 第49-55页 |
| ·区域离散 | 第49-50页 |
| ·插值函数的选择 | 第50-51页 |
| ·方程组公式的建立 | 第51-55页 |
| ·方程组的求解 | 第55页 |
| ·有限元公式的另一种表示 | 第55-57页 |
| 第四章 二极管、三极管实验系统介绍及结果分析 | 第57-77页 |
| ·实验系统介绍 | 第57-69页 |
| ·仿真结果简介 | 第57-65页 |
| ·实验方案一 | 第65-67页 |
| ·实验方案二 | 第67-68页 |
| ·实验方案三 | 第68-69页 |
| ·实验过程简述 | 第69-72页 |
| ·实验准备 | 第69-70页 |
| ·实验过程 | 第70-72页 |
| ·实验结果 | 第72-75页 |
| ·实验数据 | 第72-73页 |
| ·实验结论 | 第73-75页 |
| ·实验的不足 | 第75-77页 |
| ·微波源的不足 | 第75页 |
| ·波导腔的不足 | 第75页 |
| ·系统测试手段的不足 | 第75-77页 |
| 第五章 计算机高功率微波辐射实验系统构想 | 第77-81页 |
| ·计算机高功率微波辐射实验系统总体结构 | 第77-79页 |
| ·高功率微波源 | 第77-78页 |
| ·关于实验腔体 | 第78-79页 |
| ·关于实验中对被测系统的监测 | 第79页 |
| ·诊断方法 | 第79-81页 |
| 第六章 结论 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 致 谢 | 第85页 |
