| 第一章 绪论 | 第1-10页 |
| ·论文的背景及研究意义 | 第8-9页 |
| ·课题的提出 | 第9页 |
| ·论文主要内容及研究方法 | 第9-10页 |
| 第二章 HPM的产生机理及HPM武器的发展、重要性 | 第10-19页 |
| 2 1 HPM的产生机理及HPM传输发射系统 | 第10-14页 |
| ·HPM的产生机理 | 第10-12页 |
| ·HPM传输发射系统 | 第12-14页 |
| 2 2 HPM武器发展、重要性及前景 | 第14-19页 |
| 第三章 半导体器件HPM毁伤阈值及损伤机理分析 | 第19-34页 |
| ·半导体阈值的几种定义 | 第19-21页 |
| ·脉冲HPM微波破坏电子设备性能的物理基础 | 第21-22页 |
| ·脉冲微波干扰影响的的典型模型 | 第22-27页 |
| ·一次效应 | 第22-24页 |
| ·二次效应 | 第24-27页 |
| ·半导体器件的损伤机理 | 第27-32页 |
| ·几种器件失效机理分析 | 第32-34页 |
| 第四章 器件建模仿真、阈值分析 | 第34-68页 |
| ·PN结二极管的计算机数值模拟 | 第34-46页 |
| ·PN结二极管一维模型基本方程 | 第34-40页 |
| ·方程的归一化 | 第40-42页 |
| ·一维基本模型边界条件 | 第42-43页 |
| ·PN结二极管一维瞬态模型基本方程 | 第43-44页 |
| ·一维瞬态模型的边界条件 | 第44-45页 |
| ·PN结器件的一维数值模拟 | 第45-46页 |
| ·器件参数的确定 | 第46-48页 |
| ·掺杂浓度N | 第46页 |
| ·载流子产生率G | 第46-47页 |
| ·载流子复合率R | 第47页 |
| ·迁移率μ_n,μ_p | 第47-48页 |
| ·一维稳态模拟结果及分析 | 第48-62页 |
| ·基本模型 | 第48页 |
| ·一维数值模拟 | 第48-58页 |
| ·PN结解析解的推导 | 第58-62页 |
| ·PN结器件的一维瞬态模拟 | 第62-65页 |
| ·PN结器件对HPM的响应计算 | 第65-66页 |
| ·仿真结果分析 | 第66-68页 |
| 第五章 结束语 | 第68-69页 |
| 致 谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |