| 引言 | 第1-8页 |
| 第一章 FED工作特性及研究概况 | 第8-15页 |
| 1．1 概述 | 第8-9页 |
| 1．2 FED的研究概况及发展前景 | 第9-11页 |
| 1．2．1 FED的研究概况 | 第9-10页 |
| 1．2．2 FED的市场前景 | 第10-11页 |
| 1．3 FED的理论基础和工作原理 | 第11-12页 |
| 1．3．1 关于场发射的基本理论 | 第11-12页 |
| 1．3．2 FED的工作原理 | 第12页 |
| 1．4 场发射阵列的类型 | 第12-13页 |
| 1．5 本项目研究的内容 | 第13-15页 |
| 第二章 薄膜的溅射沉积技术 | 第15-25页 |
| 2．1 概述 | 第15-16页 |
| 2．2 溅射的一般过程 | 第16页 |
| 2．3 溅射的性质 | 第16-17页 |
| 2．4 溅射的类型 | 第17-21页 |
| 2．4．1 直流二极溅射 | 第17-18页 |
| 2．4．2 射频溅射 | 第18页 |
| 2．4．3 反应溅射 | 第18-19页 |
| 2．4．4 磁控溅射系统 | 第19-20页 |
| 2．4．5 孪生靶溅射 | 第20-21页 |
| 2．5 溅射薄膜的形成 | 第21页 |
| 2．6 溅射薄膜的附着性质 | 第21-23页 |
| 2．6．1 薄膜的附着机理 | 第22页 |
| 2．6．2 薄膜的附着类型 | 第22-23页 |
| 2．7 实验研究设备 | 第23-25页 |
| 2．7．1 JPGD-1200磁控溅射镀膜系统 | 第23-24页 |
| 2．7．2 其他实验条件 | 第24-25页 |
| 第三章 CR-CU底电极的制备 | 第25-34页 |
| 3．1 玻璃基片的镀前预处理 | 第25-28页 |
| 3．1．1 玻璃基片的选择 | 第25页 |
| 3．1．2 玻璃基片的清洗 | 第25-28页 |
| 3．1．3 玻璃基片的烘烤 | 第28页 |
| 3．2 CR-CU底电极的制备 | 第28-30页 |
| 3．2．1 镀膜室真空环境的获得 | 第28-29页 |
| 3．2．2 Cr-Cu 复合膜的镀制 | 第29页 |
| 3．2．3 Cr-Cu底电极的形成 | 第29-30页 |
| 3．3 实验分析 | 第30-32页 |
| 3．3．1 基片温度对薄膜表面形貌的影响 | 第30-31页 |
| 3．3．2 薄膜厚度与Cr-Cu电极条电阻的关系 | 第31-32页 |
| 3．4 薄膜附着力的胶带实验 | 第32页 |
| 3．5 对产生“针孔”现象的一些解决措施 | 第32-34页 |
| 第四章 介质层的制备 | 第34-46页 |
| 4．1 概述 | 第34页 |
| 4．2 射频溅射制备SiO_2膜 | 第34-39页 |
| 4．2．1 SiO_2膜的常用制备 | 第34-36页 |
| 4．2．2 SiO_2膜的实验制备 | 第36-38页 |
| 4．2．3 实验分析 | 第38-39页 |
| 4．3 反应溅射制备Al_2O_3膜 | 第39-44页 |
| 4．3．1 Al_2O_3膜的常用制备 | 第39-40页 |
| 4．3．2 实验制备Al_2O_3膜 | 第40-41页 |
| 4．3．3 实验分析 | 第41-42页 |
| 4．3．4 反应溅射Al_2O_3膜迟滞回线的研究 | 第42-44页 |
| 4．4 反应溅射制备Ta_2O_5膜 | 第44-46页 |
| 第五章 上电极的制备及MIM结构的性能测试 | 第46-52页 |
| 5．1 上层金属电极的制备 | 第46页 |
| 5．2 MIM结构的形成 | 第46-47页 |
| 5．3 MIM结构的I-V特性曲线 | 第47-48页 |
| 5．4 MIM结构的耐压强度 | 第48-50页 |
| 5．4．1 固体介质的电击穿 | 第49页 |
| 5．4．2 介质层耐压强度的测试 | 第49-50页 |
| 5．5 三极管型样屏的显示结果 | 第50-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-56页 |