SOI材料的光学表征和SOI器件射频性能的研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 概论 | 第8-26页 |
| ·SOI技术的发展概况 | 第9-11页 |
| ·SOI材料的制备方法 | 第11-16页 |
| ·注氧隔离技术(SIMOX) | 第11-14页 |
| ·ITOX-提高SIMOX材料质量的新工艺 | 第14-15页 |
| ·Smart-cut技术 | 第15页 |
| ·等离子体浸没式注入技术 | 第15-16页 |
| ·SOI材料质量表征 | 第16-17页 |
| ·SOI器件 | 第17-25页 |
| ·全耗尽SOI MOS晶体管 | 第19-22页 |
| ·部分耗尽SOI MOS晶体管 | 第22-24页 |
| ·短沟道效应 | 第24-25页 |
| ·本论文工作 | 第25-26页 |
| 第二章 SIMOX界面粗糙度的光学表征方法 | 第26-63页 |
| ·引言 | 第26-29页 |
| ·椭偏原理 | 第29-43页 |
| ·光波的偏振 | 第30-34页 |
| ·椭偏仪的测量原理 | 第34-43页 |
| ·分层平面结构上偏振光的反射 | 第43-49页 |
| ·SIMOX界面粗糙度的光学模型 | 第49-55页 |
| ·实验 | 第49页 |
| ·SIMOX界面粗糙度光学模型 | 第49-55页 |
| ·SIMOX椭偏光谱的计算机模拟 | 第55-57页 |
| ·椭偏光谱拟合流程 | 第55-56页 |
| ·优化拟合判据 | 第56-57页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第57-62页 |
| ·模拟结果 | 第57-60页 |
| ·粗糙度表征的灵敏性研究 | 第60-61页 |
| ·椭偏光谱法得到的粗糙度与R_(rms)的关系 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第三章 四面体非晶碳膜成分的椭偏光谱法表征 | 第63-72页 |
| ·ta-C薄膜特性综述 | 第63-64页 |
| ·ta-C薄膜的FAD法制备 | 第64-66页 |
| ·ta-C薄膜的sp~3／sp~2模型 | 第66-67页 |
| ·椭偏光谱的模拟结果和讨论 | 第67-69页 |
| ·参数相关性研究 | 第69-71页 |
| ·RBS和AFM结果 | 第71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第四章 SOI射频器件的研究 | 第72-93页 |
| ·射频器件研究现状 | 第72-81页 |
| ·收发器结构 | 第73-75页 |
| ·RF COMS技术 | 第75-78页 |
| ·SOI基RF COMS技术 | 第78-81页 |
| ·FD SOI MOSFET的射频性能研究 | 第81-87页 |
| ·I-V特性 | 第81-84页 |
| ·模拟特性 | 第84-86页 |
| ·小结 | 第86-87页 |
| ·SOI基无源器件的射频特性 | 第87-92页 |
| ·传输线损耗 | 第87-89页 |
| ·平面螺旋电感 | 第89-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 第五章 结论 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-99页 |
| 发表论文目录 | 第99-100页 |
| 附件一 独创性申明 | 第100-101页 |
| 作者简历 | 第101-102页 |
| 致谢 | 第102页 |
