| 第一章 绪论 | 第1-13页 |
| 1-1 GaAs材料结构和特性 | 第7-8页 |
| 1-2 GaAs材料应用的历史和现状 | 第8-9页 |
| 1-3 SI-GaAs单晶生长方法 | 第9-10页 |
| 1-4 研究SI-GaAs衬底材料对MESFET器件性能影响的意义 | 第10-11页 |
| 1-5 论文的主要研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 LEC SI-GaAS衬底参数及检测 | 第13-16页 |
| 2-1 LEC SI-GaAs衬底中的主要电活性杂质和缺陷 | 第13-16页 |
| 2-1-1 LEC SI-GaAs衬底中的主要电活性杂质 | 第13-14页 |
| 2-1-2 LEC SI-GaAs衬底中的本征缺陷 | 第14-16页 |
| 第三章 LEC SI-GaAs衬底中AB微缺陷、位错、电阻率等电参数的检测 | 第16-40页 |
| 3-1 LEC SI-GaAs衬底中AB微缺陷和位错的检测 | 第16-32页 |
| 3-1-1 腐蚀原理 | 第16-18页 |
| 3-1-2 AB微缺陷的检测 | 第18-28页 |
| 3-1-2-1 检测方法 | 第18-23页 |
| 3-1-2-2 检测结果 | 第23-28页 |
| 3-1-3 位错的检测 | 第28-32页 |
| 3-1-3-1 检测方法 | 第28-29页 |
| 3-1-3-2 检测结果 | 第29-32页 |
| 3-2 LEC SI-GaAs衬底中电阻率等电参数的测量 | 第32-40页 |
| 3-2-1 霍尔效应测量LEC SI-GaAs样品中电参数的原理 | 第32-35页 |
| 3-2-2 检测结果 | 第35-40页 |
| 第四章 LEC SI-GaAs中缺陷分布与电参数分布的关系 | 第40-46页 |
| 第五章 LEC SI-GaAs衬底材料对MESFET器件性能的影响 | 第46-56页 |
| 5-1 MESFET器件结构特性和制造工艺 | 第46-50页 |
| 5-1-1 GaAs MESFET器件结构 | 第46-48页 |
| 5-1-2 MESFET器件的特性 | 第48-49页 |
| 5-1-3 GaAs MESFET器件的制造工艺 | 第49-50页 |
| 5-2 LEC SI-GaAs衬底AB微缺陷对MESFET器件参数的影响 | 第50-54页 |
| 5-2-1 LEC SI-GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件跨导的影响 | 第50-51页 |
| 5-2-2 LEC SI-GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件饱和漏电流的影响 | 第51-53页 |
| 5-2-3 LEC SI-GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件阈值电压的影响 | 第53-54页 |
| 5-3 LEC SI-GaAs衬底质量影响MESFET器件电学参数的解释 | 第54-56页 |
| 第六章 PL mapping技术在测量GaAs衬底参数上的应用 | 第56-64页 |
| 6-1 测量原理 | 第56-60页 |
| 6-2 仪器说明 | 第60-61页 |
| 6-3 测量结果 | 第61-64页 |
| 第七章 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第69页 |
