| 第一章 引言 | 第1-19页 |
| ·低维材料的定义、特点、性质及研究现状 | 第9-12页 |
| ·低维材料的定义、特点 | 第9-10页 |
| ·半导体低维材料中电子输运的特征 | 第10-11页 |
| ·半导体低维材料中电子输运的特征 | 第11-12页 |
| ·ZnO 材料的性质、用途及发展动态 | 第12-19页 |
| ·ZnO 材料的晶格特性 | 第12-13页 |
| ·ZnO 材料的光电性质 | 第13-14页 |
| ·ZnO 材料的压电性质 | 第14-15页 |
| ·ZnO 材料的气敏性质 | 第15页 |
| ·ZnO 材料的压敏性质 | 第15页 |
| ·纳米 ZnO 和低维 ZnO 材料的性质及应用 | 第15-16页 |
| ·ZnO 薄膜的研究方向及发展前景 | 第16-19页 |
| 第二章 ZnO 材料的制备工艺及分析 | 第19-30页 |
| ·制备 ZnO 的一般方法 | 第19-21页 |
| ·射频溅射法 | 第19页 |
| ·电子束蒸发沉积 | 第19页 |
| ·喷雾热分解法 | 第19-20页 |
| ·化学气相沉积 | 第20页 |
| ·溶胶-凝胶(Sol-Gel)法 | 第20页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第20页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第20-21页 |
| ·低维 ZnO 材料的自组织生长及其制备方法 | 第21-25页 |
| ·制备低维 ZnO 材料的化学方法 | 第21-24页 |
| ·制备低维ZnO材料的物理方法 | 第24-25页 |
| ·微观分析方法(表征) | 第25-30页 |
| ·X 射线衍射(XRD)的原理与用途 | 第25-27页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第27-28页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第28页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第28-29页 |
| ·X 射线光电子能谱法(XPS) | 第29-30页 |
| 第三章 管状 ZnO 自组织可控生长研究 | 第30-41页 |
| ·实验方法 | 第30页 |
| ·结果与分析 | 第30-32页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第30-31页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM) | 第31-32页 |
| ·管状 ZnO 制备工艺的研究 | 第32-39页 |
| ·温度对管状 ZnO 生长的影响 | 第33-34页 |
| ·前驱溶液浓度对管状 ZnO 生长的影响 | 第34-36页 |
| ·衬底材料对管状 ZnO 生长的影响 | 第36-37页 |
| ·保温时间对管状 ZnO 生长的影响 | 第37-39页 |
| ·退火对管状 ZnO 生长的影响 | 第39页 |
| ·管状 ZnO 生长过程及机理的初步探讨 | 第39-41页 |
| 第四章 管状 ZnO 的光电性能研究 | 第41-58页 |
| ·管状ZnO光生伏特效应及紫外探测性能的研究 | 第41-43页 |
| ·p-n 结光生伏特效应的基本原理 | 第41页 |
| ·试验方法 | 第41-42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-43页 |
| ·管状 ZnO 的光致发光 | 第43-46页 |
| ·致发光的原理 | 第43-44页 |
| ·试验结果与讨论 | 第44-46页 |
| ·管状 ZnO 的介电性能的研究 | 第46-48页 |
| ·管状 ZnO 的电学性能 | 第48-53页 |
| ·金属和半导体接触的理论 | 第48-49页 |
| ·试验结果与讨论 | 第49-53页 |
| ·管状 ZnO 的气敏特性 | 第53-58页 |
| ·半导体气敏传感器的工作原理 | 第53-54页 |
| ·实验方法 | 第54-56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 附录 | 第64页 |