| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-23页 |
| ·研究背景 | 第9-13页 |
| ·导电薄膜 | 第13-17页 |
| ·各类导电薄膜的性能 | 第13-15页 |
| ·导电薄膜的应用 | 第15-17页 |
| ·半导体电极的制备 | 第17-19页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体欧姆接触的研究进展 | 第19-21页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_Te晶体欧姆接触的研究进展 | 第19-20页 |
| ·其它Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体欧姆接触的研究进展 | 第20-21页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第二章 金属与Cd_(1-x)Zn_xTe半导体的欧姆接触 | 第23-35页 |
| ·金属与半导体的欧姆接触 | 第23-30页 |
| ·金属和半导体的功函数对形成欧姆接触的影响 | 第23-27页 |
| ·表面态对形成欧姆接触的影响 | 第27-30页 |
| ·欧姆接触电阻的理论计算分析 | 第30-31页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体欧姆接触电极材料的选择与结构 | 第31-34页 |
| ·电极材料的选择 | 第31-33页 |
| ·薄膜电极的结构 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 工艺实验方法及内容 | 第35-52页 |
| ·直流二极磁控溅射镀膜的基本原理 | 第35-44页 |
| ·溅射镀膜 | 第35-38页 |
| ·二极溅射 | 第38-40页 |
| ·磁控溅射 | 第40-44页 |
| ·实验装置 | 第44-45页 |
| ·工艺过程 | 第45-47页 |
| ·实验材料 | 第45-46页 |
| ·工艺流程 | 第46页 |
| ·工艺参数选择 | 第46-47页 |
| ·薄膜分析测试 | 第47-51页 |
| ·薄膜厚度测定 | 第47-48页 |
| ·欧姆接触的测试原理与方法 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 实验结果及分析 | 第52-66页 |
| ·工艺参数对沉积速率的影响规律 | 第52-57页 |
| ·溅射功率对沉积速率的影响 | 第52-53页 |
| ·Ar气流量对沉积速率的影响 | 第53-54页 |
| ·衬底温度对沉积速率的影响 | 第54-55页 |
| ·工作气压对沉积速率的影响 | 第55-56页 |
| ·励磁电源功率对沉积速率的影响 | 第56-57页 |
| ·薄膜成分分析 | 第57-59页 |
| ·Cu／Ag薄膜的电阻率 | 第59-62页 |
| ·薄膜电极的附着性能 | 第62-64页 |
| ·溅射功率对薄膜附着性能的影响 | 第62-63页 |
| ·衬底温度对薄膜附着性能的影响 | 第63-64页 |
| ·气体流量对薄膜附着性能的影响 | 第64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
