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极紫外投影光刻中若干关键技术研究

第一章 绪论第1-27页
 §1.1 研究背景第18-25页
  1.1.1 引言第18-19页
  1.1.2 光刻技术的发展历程及现状第19-25页
 §1.2 研究目的第25页
 §1.3 论文的构成第25页
 参考文献第25-27页
第二章 极紫外投影光刻(EUVL)中的关键技术第27-47页
 §2.1 引言第27页
 §2.2 EUVL中的关键技术第27-43页
  2.2.1 极紫外(EUV)光源技术第27-33页
  2.2.2 微缩投影光学系统第33-34页
  2.2.3 掩模照明光学系统第34-36页
  2.2.4 光学加工与检测技术第36-39页
  2.2.5 EUV多层膜技术第39-40页
  2.2.6 反射式掩模技术第40-41页
  2.2.7 抗蚀剂技术第41-42页
  2.2.8 精密工件台技术第42-43页
 §2.3 小结第43-44页
 参考文献第44-47页
第三章 EUVL原理装置的设计第47-71页
 §3.1 引言第47-48页
 §3.2 Schwarzschild微缩投影物镜第48-59页
  3.2.1 Schwarzschild微缩投影物镜的光学设计第48-53页
  3.2.2 Schwarzschild微缩投影物镜偏心及镜间距公差第53-59页
  3.2.3 Schwarzschild微缩投影物镜的机械结构设计第59页
 §3.3 掩模和硅片精密工作台的设计第59-62页
 §3.4 EUV光源和掩模照明光学系统第62-69页
  3.4.1 激光等离子体(LPP)光源的设计第62-65页
  3.4.2 掩模照明光学系统设计第65-69页
 §3.5 小结第69-70页
 参考文献第70-71页
第四章 微缩投影物镜的多层膜反射镜性能评价第71-92页
 §4.1 引言第71页
 §4.2 多层膜反射镜基底加工精度的影响第71-85页
  4.2.1 面形精度的影响第72-76页
  4.2.2 中频波纹度的影响第76-85页
 §4.3 EUV多层膜设计与制备第85-90页
 §4.4 小结第90-91页
 参考文献第91-92页
第五章 EUVL原理装置的集成第92-112页
 §5.1 引言第92页
 §5.2 Schwarzschild微缩投影物镜的光学装调第92-109页
  5.2.1 光学装调精度要求第92页
  5.2.2 光学装调步骤第92-93页
  5.2.3 Schwarzschild微缩投影物镜的光学粗装调第93-96页
  5.2.4 Schwarzschild微缩投影物镜计算机辅助装调的步骤第96-98页
  5.2.5 EUVL微缩投影光学系统计算机辅助装调的数学模型第98-101页
  5.2.6 Schwarzschild微缩投影物镜的计算机辅助装调第101-109页
 §5.3 LPP光源及掩模照明系统的装调第109-110页
  5.3.1 EUVL原理装置的组成第109-110页
  5.3.2 LPP光源及掩模照明系统的装调步骤第110页
 §5.4 小结第110-111页
 参考文献第111-112页
第六章 EUV掩模复制曝光实验第112-119页
 §6.1 引言第112页
 §6.2 EUVL用抗蚀剂的选择第112-114页
  6.2.1 EUV抗蚀剂的作用原理及通用性第112页
  6.2.2 ZEP520正性抗蚀剂第112-114页
 §6.3 EUVL透射掩模第114-115页
 §6.4 曝光实验方法及结果第115-118页
 §6.5 小结第118页
 参考文献第118-119页
第七章 EUV多层膜膜厚空间分布控制技术第119-126页
 §7.1 引言第119-120页
 §7.2 EUV多层膜膜厚空间分布控制原理第120-122页
  7.2.1 磁控溅射原理第120页
  7.2.2 磁控溅射工艺的膜厚空间分布第120-121页
  7.2.3 多层膜膜厚空间分布的控制方法第121-122页
 §7.3 磁控溅射镀膜装置的研制和均匀多层膜的制备第122-124页
  7.3.1 磁控溅射镀膜装置的研制第122-123页
  7.3.2 均匀多层膜的制备第123-124页
 §7.3 小结第124-125页
 参考文献第125-126页
第八章 结束语第126-128页
 §8.1 本文研究工作的主要进展第126-127页
 §8.2 研究工作展望第127-128页
作者简历第128-129页
攻读博士学位期间发表的学术论文目录第129页

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