| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·SOI相对于体硅的优越性 | 第9-10页 |
| ·SOI材料制备技术 | 第10页 |
| ·SOI器件中存在的若干物理问题 | 第10-15页 |
| ·SOI技术在抗辐射效应领域中的应用 | 第15-18页 |
| ·本课题开展的研究背景 | 第18页 |
| 参考文献 | 第18-21页 |
| 第二章 MOS／SOI器件的自加热效应研究 | 第21-36页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·自加热效应对SOI器件和电路的影响 | 第21-24页 |
| ·SOI器件自加热效应的参数提取 | 第24-34页 |
| ·小结 | 第34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 克服自加热效应的有效途径-SOI的新结构 | 第36-62页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·SOI新结构的自加热效应的模拟研究 | 第36-60页 |
| ·小结 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第四章 NMOSFET／SOI电离总剂量辐射效应的模拟研究 | 第62-86页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·NMOSFET／SOI电离总剂量辐射效应的模拟研究 | 第62-73页 |
| ·理论模拟结果 | 第73-78页 |
| ·场区加固技术的研究 | 第78-82页 |
| ·小结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
| 第五章 提高SOI抗总剂量辐射加固水平的途径之一-SOI材料中的F~+注入 | 第86-119页 |
| ·引言 | 第86-87页 |
| ·注F~+ SIMOX材料的制备 | 第87-92页 |
| ·注F~+ MOS／SOI器件的制备 | 第92-104页 |
| ·辐射损伤效应的测试与分析 | 第104-115页 |
| ·小结 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-119页 |
| 第六章 提高SOI抗总剂量辐射加固水平的途径之二-N~+、O~+共注入形成SIMON结构 | 第119-131页 |
| ·引言 | 第119-120页 |
| ·SIMON材料抗总剂量辐射效应的机理分析 | 第120-122页 |
| ·N~+、O~+共注入形成SIMON结构的研究 | 第122-129页 |
| ·小结 | 第129页 |
| 参考文献 | 第129-131页 |
| 第七章 总结 | 第131-133页 |
| 发表论文及专利申请 | 第133-135页 |
| 致谢 | 第135-137页 |
| 简历 | 第137-138页 |
