| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 目录 | 第4-7页 |
| 第一章 文献综述 | 第7-20页 |
| ·引言 | 第7-9页 |
| ·EDWA的工作原理及其优点 | 第9-12页 |
| ·掺铒光波导基体材料的选择 | 第12-13页 |
| ·掺铒薄膜及波导的制备工艺 | 第13-15页 |
| ·掺铒光波导技术的国内外研究进展 | 第15-19页 |
| ·本论文的研究目的和内容安排 | 第19-20页 |
| 第二章 Al_2O_3及掺铒Al_2O_3薄膜材料的制备与表征 | 第20-40页 |
| ·掺铒Al_2O_3材料做EDWA基体材料的优点 | 第20页 |
| ·掺铒Al_2O_3材料制备的难点及解决办法 | 第20-25页 |
| ·能量转移(或跃迁)效应 | 第21-22页 |
| ·合作上转换效应 | 第22-23页 |
| ·激发态吸收 | 第23-24页 |
| ·离子数反转数 | 第24页 |
| ·制造工艺方面 | 第24-25页 |
| ·薄膜的制备工艺 | 第25-30页 |
| ·实验设备 | 第25-29页 |
| ·靶的制备 | 第29页 |
| ·薄膜的制备 | 第29-30页 |
| ·掺铒Al_2O_3薄膜材料结构特性的表征 | 第30-39页 |
| ·薄膜SE的结果与分析 | 第30-32页 |
| ·薄膜XPS的结果与分析 | 第32-36页 |
| ·薄膜RBS的结果与分析 | 第36-38页 |
| ·薄膜XRD的结果与分析 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 掺铒Al_2O_3薄膜材料发光特性的研究 | 第40-52页 |
| ·掺铒材料中光子参与的跃迁机制 | 第40-41页 |
| ·掺铒光波导放大器的速率方程的推导及稳态解 | 第41-46页 |
| ·掺铒Al_2O_3薄膜材料光学特性的表征 | 第46-51页 |
| ·薄膜光透射谱的结果与分析 | 第46-47页 |
| ·薄膜光致发光谱的结果与分析 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 掺Er富硅氧化硅薄膜的制备与表征 | 第52-65页 |
| ·掺Er硅基发光材料的优点 | 第52页 |
| ·掺Er硅基发光材料制备的难点及解决办法 | 第52-55页 |
| ·Er在硅材料中的溶解度 | 第53页 |
| ·激发态Er离子的能量背迁移效应 | 第53-54页 |
| ·俄歇效应 | 第54-55页 |
| ·nc-Si／SiO_2材料薄膜的制备工艺 | 第55-58页 |
| ·掺Er富硅氧化硅材料的结构特性 | 第58-59页 |
| ·掺Er富硅氧化硅材料的XRD特性 | 第58页 |
| ·掺Er富硅氧化硅材料的TEM特性 | 第58-59页 |
| ·掺Er富硅氧化硅材料的发光特性 | 第59-60页 |
| ·讨论 | 第60-63页 |
| ·Er的存在形式 | 第60-61页 |
| ·退火温度对掺Er富硅氧化硅发光强度的影响 | 第61页 |
| ·掺Er富硅氧化硅与掺Er晶体硅中发光机理的不同 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 联合沉积法制备掺Er薄膜材料的初步研究 | 第65-68页 |
| ·联合沉积法制备掺Er材料的优点 | 第65-66页 |
| ·联合沉积法制备掺Er薄膜工艺 | 第66-68页 |
| 第六章 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 发表文章目录 | 第74-76页 |
| 附录 本论文用到的缩略词 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 作者简介 | 第80-81页 |