| 中文摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-23页 |
| 第1章 磁敏感元器件发展概况 | 第23-39页 |
| ·磁敏感元器件在国内外发展现状 | 第23-25页 |
| ·磁敏感元器件的基本效应 | 第25-27页 |
| ·霍尔效应 | 第25-26页 |
| ·磁阻效应 | 第26-27页 |
| ·磁敏感元器件 | 第27-38页 |
| ·霍尔元件 | 第27-29页 |
| ·磁阻元件 | 第29-31页 |
| ·磁敏二极管 | 第31-35页 |
| ·磁敏三极管 | 第35-36页 |
| ·韦根德元件 | 第36-37页 |
| ·强磁性金属磁阻元件 | 第37页 |
| ·约瑟夫逊超导量子干涉元件 | 第37-38页 |
| ·磁敏感器件所用材料 | 第38页 |
| ·磁敏感元器件的分类 | 第38-39页 |
| 第2章 MEMS技术及其基本概况 | 第39-48页 |
| ·MEMS的基本概念 | 第39-40页 |
| ·MEMS技术的基本特点 | 第40-41页 |
| ·MEMS技术的分类 | 第41-42页 |
| ·MEMS技术在国内外的研究状况 | 第42-43页 |
| ·国外研究状况 | 第42-43页 |
| ·国内研究状况 | 第43页 |
| ·MEMS技术的加工工艺 | 第43-47页 |
| ·体微机械加工技术 | 第44-45页 |
| ·表面微机械处理技术 | 第45-46页 |
| ·LIGA技术 | 第46页 |
| ·准LIGA技术 | 第46页 |
| ·其它微结构加工工艺 | 第46-47页 |
| ·MEMS技术的产品及发展前景 | 第47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第3章 磁敏三极管的基本结构、工作原理和基本特性 | 第48-57页 |
| ·磁敏三极管的基本结构、设计原理 | 第48-50页 |
| ·磁敏三极管的工作原理 | 第50-52页 |
| ·磁敏三极管的基本特性 | 第52-56页 |
| ·磁灵敏度 | 第52-54页 |
| ·温度特性 | 第54-55页 |
| ·频率特性 | 第55页 |
| ·特性曲线 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第4章 采用MEMS技术制作硅磁敏三极管的基本结构、工作原理和制作工艺 | 第57-85页 |
| ·硅磁敏三极管结构 | 第57-60页 |
| ·硅磁敏三极管工作原理 | 第60-63页 |
| ·硅磁敏三极管电流密度方程 | 第60-61页 |
| ·硅磁敏三极管工作原理 | 第61-63页 |
| ·硅磁敏三极管制作工艺 | 第63-84页 |
| ·小结 | 第84-85页 |
| 第5章 实验结果 | 第85-99页 |
| ·硅磁敏三极管主要技术参数 | 第85-86页 |
| ·硅磁敏三极管特性测试及计算 | 第86-97页 |
| ·硅磁敏三极管伏安特性测试 | 第86-90页 |
| ·硅磁敏三极管磁电特性 | 第90-92页 |
| ·硅磁敏三极管灵敏度特性测试与计算 | 第92-93页 |
| ·硅磁敏三极管温度特性测试与计算 | 第93-96页 |
| ·硅磁敏三极管I_C～I_B关系测试 | 第96-97页 |
| ·硅磁敏三极管频率特性 | 第97页 |
| ·小结 | 第97-99页 |
| 第6章 讨论 | 第99-107页 |
| ·硅磁敏三极管负阻特性讨论 | 第99-103页 |
| ·硅磁敏三极管特性负阻现象 | 第100-101页 |
| ·硅磁敏三极管负阻特性样品结构 | 第101-102页 |
| ·硅磁敏三极管负阻特性机理讨论 | 第102-103页 |
| ·改进方案讨论 | 第103-106页 |
| ·小结 | 第106-107页 |
| 结论 | 第107-109页 |
| 攻读硕士学位期间所发论文情况 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-116页 |