| 第一章 绪论 | 第1-11页 |
| 1-1 稀磁性半导体定义 | 第8页 |
| 1-2 掺锰砷化镓稀磁性半导体材料的发展历史与现状 | 第8-9页 |
| 1-3 掺锰砷化镓稀磁性半导体材料的应用与选题意义 | 第9-10页 |
| 1-4 本论文的主要研究内容 | 第10-11页 |
| 第二章 掺锰砷化镓稀磁性半导体材料的介绍 | 第11-21页 |
| 2-1 半导体材料GaAs、磁性元素Mn的介绍 | 第11-13页 |
| 2-1-1 半导体材料GaAs的介绍 | 第11-12页 |
| 2-1-2 磁性元素Mn的介绍 | 第12-13页 |
| 2-2 磁性物理学介绍 | 第13-16页 |
| 2-2-1 磁性的起源 | 第13页 |
| 2-2-2 磁学的发展历史 | 第13-14页 |
| 2-2-3 磁性材料的分类与性质 | 第14-15页 |
| 2-2-4 磁性材料的应用 | 第15-16页 |
| 2-3 稀磁性材料的性质及应用 | 第16-18页 |
| 2-4 掺Mn GaAs稀磁性半导体材料简介 | 第18-21页 |
| 第三章 掺锰砷化镓稀磁性半导体材料的制备 | 第21-25页 |
| 3-1 制备方法 | 第21-23页 |
| 3-1-1 离子注入定义 | 第21页 |
| 3-1-2 离子注入技术的特点 | 第21页 |
| 3-1-3 入射离子在单晶靶中的运动 | 第21-22页 |
| 3-1-4 退火处理 | 第22-23页 |
| 3-1-5 退火保护 | 第23页 |
| 3-2 实验 | 第23-25页 |
| 3-2-1 离子注入实验 | 第23页 |
| 3-2-2 快速退火处理实验 | 第23-25页 |
| 第四章 测试与分析 | 第25-48页 |
| 4-1 成分与结构 | 第25-32页 |
| 4-1-1 X-射线衍射 | 第25-28页 |
| 4-1-2 原子力显微镜 | 第28-31页 |
| 4-1-3 能量色散X-射线谱 | 第31-32页 |
| 4-2 电特性 | 第32-44页 |
| 4-2-1 霍尔测试 | 第32-38页 |
| 4-2-2 电化学C-V | 第38-40页 |
| 4-2-3 二次离子质谱 | 第40-44页 |
| 4-3 磁特性 | 第44-48页 |
| 4-3-1 磁力显微镜 | 第44-45页 |
| 4-3-2 超导量子干涉仪 | 第45-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第52页 |