偏移场板和场限环终端结构设计方法的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-13页 |
| ·电力电子器件简介 | 第7-8页 |
| ·电力电子技术发展对器件的要求 | 第8-9页 |
| ·结终端对击穿电压的影响 | 第9-11页 |
| ·本课题研究的主要内容和意义 | 第11-12页 |
| ·本章小结 | 第12-13页 |
| 第2章 终端技术简介 | 第13-22页 |
| ·斜角终端技术 | 第13-14页 |
| ·刻蚀曲面终端 | 第14-15页 |
| ·结终端扩展技术 | 第15-16页 |
| ·场板技术 | 第16-19页 |
| ·金属场板 | 第16-17页 |
| ·阻性场板 | 第17-19页 |
| ·场限环技术 | 第19-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 场限环设计方法简介 | 第22-44页 |
| ·分步穷举法 | 第22-25页 |
| ·局部电离积分法 | 第25-30页 |
| ·单环模型 | 第25-28页 |
| ·单环到多环终端技术的推广 | 第28-30页 |
| ·局部电离积分法优缺点 | 第30页 |
| ·双曲线法 | 第30-43页 |
| ·方法的提出 | 第31-32页 |
| ·单环模型 | 第32-33页 |
| ·场限环优化设计 | 第33-34页 |
| ·场限环优化设计实例 | 第34-35页 |
| ·对本方法合理性的验证 | 第35-39页 |
| ·本方法的适用性 | 第39-43页 |
| ·本方法优缺点 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 场限环设计方法比较 | 第44-53页 |
| ·对局部电离积分法的仿真研究 | 第44-47页 |
| ·优化设计的判据 | 第47-48页 |
| ·芯片面积的比较 | 第48页 |
| ·击穿电压的比较 | 第48页 |
| ·计算时间的比较 | 第48-50页 |
| ·抗电荷能力的比较 | 第50页 |
| ·可推广性比较 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 偏移场板结构的研究 | 第53-65页 |
| ·界面电荷对击穿电压的影响 | 第53-55页 |
| ·界面电荷对场限环终端优化结构的影响 | 第55-56页 |
| ·偏移场板结构的设计 | 第56-64页 |
| ·模型的建立 | 第56-57页 |
| ·场板长度的确定 | 第57-59页 |
| ·界面电荷对偏移场板结构的影响 | 第59-61页 |
| ·偏移场板结构的改进 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
