硅基薄膜中半导体颗粒的形成机理及其相关物性
| 第一章 绪论 | 第1-13页 |
| ·硅基发光材料的研究意义 | 第9页 |
| ·硅基发光材料的研究进展 | 第9-11页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 薄膜的制备和表征 | 第13-20页 |
| ·薄膜的制备 | 第13-16页 |
| ·双离子束溅射沉积技术 | 第13-14页 |
| ·射频磁控溅射沉积技术 | 第14-15页 |
| ·基片 | 第15-16页 |
| ·薄膜的表征 | 第16-20页 |
| ·X射线衍射分析 | 第16-17页 |
| ·透射电子显微镜以及选区电子衍射 | 第17页 |
| ·X射线光电子谱(XPS) | 第17-20页 |
| 第三章 薄膜的结构 | 第20-29页 |
| ·基片加热装置和退火处理装置 | 第20-21页 |
| ·Si-SiO_2薄膜的结构 | 第21-24页 |
| ·Si-SiO_2薄膜的TEM和XRD的实验结果 | 第21-22页 |
| ·Si-SiO_2薄膜的XPS谱 | 第22-23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| ·Ge-SiO_2薄膜的结构 | 第24-27页 |
| ·基片温度对Ge颗粒生长的影响 | 第24-25页 |
| ·退火温度对Ge颗粒生长的影响 | 第25-27页 |
| ·小结 | 第27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第四章 半导体颗粒的形成机理 | 第29-34页 |
| ·溅射薄膜的形成过程 | 第29-30页 |
| ·两种薄膜结构差异及原因 | 第30-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第五章 硅基薄膜的光致发光特性 | 第34-40页 |
| ·光致发光的原理 | 第34-35页 |
| ·Si-SiO_2薄膜的光致发光 | 第35-36页 |
| ·Ge-SiO_2薄膜的光致发光 | 第36-40页 |
| 第六章 结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 硕士期间发表论文 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44页 |
