当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
SiC SBD的工艺研究及利用Silvaco模拟特性
用于MEMS封装的深硅刻蚀工艺研究
自动物料搬送系统(AMHS)在晶圆制造中的应用及效率改善
原子层淀积high-k栅介质和扩散阻挡层及其特性研究
基于Web Service的半导体设备Interface A标准实现
Er、Tm掺杂ZnO/Al2O3的光致发光的研究
大晶粒多晶Si薄膜的结构特征与光电特性
硅上原子层沉积与物理气相沉积Pt薄膜的技术研究
掺杂氧化锌薄膜的光学特性研究
基于钼基薄膜的铜互连扩散阻挡层及化学机械抛光研究
磁控溅射法制备掺钒氧化锌薄膜的结构及性能研究
OLED用三氧化钨缓冲层的研究
全数字化控制的中频磁控溅射电源研究
金属有机半导体复合薄膜的横向光伏效应
纳米压印制作P(VDF-TrFE)铁电微纳图形
ZnO:Mn稀磁半导体及P型ZnO:N薄膜的制备、结构和物性研究
等离子体浸没离子注入改性氧化铟锡薄膜实验研究
ULSI光刻图形线宽调制的优化研究
采用in-film结构刻蚀阻挡层进行双镶嵌刻蚀工艺的研究
反压印制备PZT纳米阵列及其特性研究
多孔超低k材料薄膜的制备和性能表征
小尺寸半导体器件中硅化物工艺优化及缺陷改进研究
Si(100)衬底上形成Ni-Co合金硅化物及其特性研究
铜线应用于BGA芯片封装的项目管理
单晶硅材料超精密磨削机理研究
数字光刻成像算法及其掩模优化方法研究
三维有序大孔硅和锗材料的制备及其光学、电化学性能研究
光伏半导体材料和Cu基存储材料的第一性原理研究
新型铜互连阻挡层Co/TaN的化学机械抛光研究
新型铜互连扩散阻挡层钌、钌钽合金、钼基薄膜的化学机械抛光性能研究
电子辐照对大直径SI-GaAs单晶性能影响的研究
GaN单晶的HVPE生长及其应力和晶体取向研究
SiO2(AG)/ZnO的制备及其吸附和光催化性能研究
微纳双重结构黑硅的制备及光电特性研究
硅基锑化铟薄膜的制备与光电性能研究
GaN/AlGaN多量子阱薄膜微结构与光电性能研究
利用SiN_x插入层和新型图形化蓝宝石衬底提高GaN外延层质量的相关研究
离子液体电沉积法构筑硅锗有序大孔结构
AlInGaN半导体薄膜的MOVPE生长和光电特性研究
本征和掺硼硅纳米晶的制备、性能及其在硅光子学领域的应用
半导体功能材料的铁磁与热电性质研究
硅中shuffle型60°位错演化的分子模拟
宽禁带半导体材料ZnO、TiO2的制备及特性研究
SPC系统的设计与实现
激光干涉光刻技术的开发与应用研究
金属半导体接触界面的调制研究
SiO2薄膜的PECVD生长研究
射频磁控溅射ZnO薄膜及其性能的研究
ZnO纳米结构的制备及其微结构的表征
纳米片状结构氧化钨纤维的制备及其电化学性质
上一页
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
下一页