用于MEMS封装的深硅刻蚀工艺研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 引言 | 第7-9页 |
| 1.2 深硅刻蚀技术 | 第9-11页 |
| 1.3 深硅刻蚀技术发展现状 | 第11-12页 |
| 1.4 课题意义及内容 | 第12-14页 |
| 1.4.1 课题研究的来源和意义 | 第12-13页 |
| 1.4.2 课题研究内容及章节安排 | 第13-14页 |
| 第二章 掩蔽层的图形化 | 第14-28页 |
| 2.1 掩蔽层图形化加工工艺 | 第14-21页 |
| 2.1.1 硅片的清洗 | 第14页 |
| 2.1.2 薄膜沉积 | 第14-16页 |
| 2.1.3 光刻工艺 | 第16-20页 |
| 2.1.4 刻蚀工艺 | 第20页 |
| 2.1.5 除胶工艺 | 第20-21页 |
| 2.2 掩蔽层图形化实验 | 第21-28页 |
| 2.2.1 掩蔽层材料 | 第21页 |
| 2.2.2 掩蔽层薄膜（光刻胶）的制备 | 第21-23页 |
| 2.2.3 掩蔽层薄膜（二氧化硅）的制备 | 第23-28页 |
| 第三章 RIE-ICP 深硅刻蚀的相关技术 | 第28-49页 |
| 3.1 等离子体刻蚀技术的原理 | 第28-35页 |
| 3.1.1 等离子体的产生 | 第28-29页 |
| 3.1.2 等离子体刻蚀机制 | 第29-30页 |
| 3.1.3 反应离子刻蚀原理 | 第30-32页 |
| 3.1.4 感应耦合等离子体刻蚀原理 | 第32-35页 |
| 3.2 RIE-ICP 深硅刻蚀技术及原理 | 第35-49页 |
| 3.2.1 RIE-ICP 深硅刻蚀系统 | 第35页 |
| 3.2.2 交替往复式工艺 | 第35-39页 |
| 3.2.3 交替往复式工艺理论分析 | 第39-42页 |
| 3.2.4 交替往复式工艺的模型 | 第42-44页 |
| 3.2.5 交替往复式工艺的指标 | 第44-49页 |
| 第四章 深硅刻蚀技术实验及结果分析 | 第49-63页 |
| 4.1 掩蔽层材料的选择 | 第49-53页 |
| 4.2 深硅刻蚀工艺的优化 | 第53-61页 |
| 4.3 实验小结 | 第61-63页 |
| 第五章 全文总结及展望 | 第63-65页 |
| 5.1 全文总结 | 第63-64页 |
| 5.2 工作展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
