| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第9-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-34页 |
| 1.1 III 族氮化物材料及器件研究的目的及意义 | 第14-16页 |
| 1.2 GaN/AlGaN 多量子阱薄膜的特性 | 第16-20页 |
| 1.2.1 材料结构特性 | 第16-17页 |
| 1.2.2 能带结构特性 | 第17-20页 |
| 1.3 GaN/AlGaN 多量子阱薄膜国内外研究现状 | 第20-33页 |
| 1.3.1 关于 GaN/AlGaN 量子阱子带跃迁的研究 | 第21-22页 |
| 1.3.2 关于 GaN/AlGaN 多量子阱薄膜生长的研究 | 第22-33页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第33-34页 |
| 第2章 GaN/AlGaN 多量子阱薄膜的制备和测试方法 | 第34-53页 |
| 2.1 多量子阱薄膜的制备 | 第34-43页 |
| 2.1.1 MOCVD 制备技术原理 | 第34-35页 |
| 2.1.2 MOCVD 的生长工艺 | 第35-39页 |
| 2.1.3 MOCVD 的影响因素 | 第39-40页 |
| 2.1.4 样品的制备过程 | 第40-43页 |
| 2.2 GaN/AlGaN 多量子阱薄膜的表征方法 | 第43-53页 |
| 2.2.1 高分辨 X 射线衍射（High Resolution X-ray Diffraction， HRXRD） | 第43-44页 |
| 2.2.2 原子力显微镜（Atomic Force microscopy , AFM） | 第44-45页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope，SEM）和阴极荧光技术（Cathodoluminescence，CL） | 第45-46页 |
| 2.2.4 透射电子显微镜分析（Transmission Electron Microscopy, TEM） | 第46-51页 |
| 2.2.5 电学性能的表征方法 | 第51-52页 |
| 2.2.6 光学性能的表征方法 | 第52-53页 |
| 第3章 GaN/AlGaN 多量子阱薄膜结构设计及生长质量研究 | 第53-80页 |
| 3.1 基于子带间输运的多量子阱结构设计 | 第53-60页 |
| 3.1.1 量子阱计算基本理论 | 第53-55页 |
| 3.1.2 计算结果与分析 | 第55-60页 |
| 3.2 生长质量的研究 | 第60-75页 |
| 3.2.1 薄膜表面质量分析 | 第60-69页 |
| 3.2.2 薄膜晶体质量分析 | 第69-74页 |
| 3.2.3 薄膜中位错密度的计算 | 第74-75页 |
| 3.3 光学及电学特性研究 | 第75-78页 |
| 3.3.1 薄膜紫外吸收性能分析 | 第75-77页 |
| 3.3.2 薄膜电学特性测试分析 | 第77-78页 |
| 3.4 本章小结 | 第78-80页 |
| 第4章 GaN/AlGaN 多量子阱薄膜显微结构的分析 | 第80-111页 |
| 4.1 外延生长关系的表征和分析 | 第80-82页 |
| 4.2 多量子阱周期性的研究 | 第82页 |
| 4.3 Z 衬度像对成分的标定 | 第82-83页 |
| 4.4 各层界面微观结构分析 | 第83-91页 |
| 4.4.1 缓冲层与衬底界面分析 | 第83-84页 |
| 4.4.2 插入中间层对界面的影响分析 | 第84-86页 |
| 4.4.3 量子阱层界面分析 | 第86-89页 |
| 4.4.4 量子阱层与盖层界面分析 | 第89-91页 |
| 4.5 界面应力分布分析 | 第91-94页 |
| 4.6 微观缺陷的分析 | 第94-109页 |
| 4.6.1 位错分析 | 第94-105页 |
| 4.6.2 层错分析 | 第105-107页 |
| 4.6.3 V 型坑分析 | 第107-109页 |
| 4.7 本章小结 | 第109-111页 |
| 第5章 GaN/AlGaN 多量子阱薄膜晶体缺陷与光学性能的关系研究 | 第111-120页 |
| 5.1 表面缺陷对光学性能的影响 | 第111-116页 |
| 5.1.1 裂纹的影响 | 第111-114页 |
| 5.1.2 V 型坑的影响 | 第114-115页 |
| 5.1.3 表面位错的影响 | 第115-116页 |
| 5.2 子带间红外吸收特性分析 | 第116-119页 |
| 5.3 本章小结 | 第119-120页 |
| 结论 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-131页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第131-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
| 个人简历 | 第134页 |
