| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 稀磁半导体 | 第10-13页 |
| 1.2.1 稀磁半导体的定义 | 第10-11页 |
| 1.2.2 稀磁半导体研究概况 | 第11-12页 |
| 1.2.3 稀磁半导体的成磁机理讨论 | 第12-13页 |
| 1.3 ZnO：Mn稀磁半导体 | 第13-16页 |
| 1.3.1 ZnO简介 | 第13-15页 |
| 1.3.2 ZnO：Mn稀磁半导体研究概况 | 第15-16页 |
| 1.4 p型ZnO的研究概况 | 第16-17页 |
| 1.5 热氧化Zn_3N_2薄膜制备p型ZnO薄膜 | 第17-18页 |
| 1.5.1 Zn_3N_2简介 | 第17页 |
| 1.5.2 热氧化Zn_3N_2薄膜制备p型ZnO：N薄膜研究概况 | 第17-18页 |
| 1.6 论文的选题依据和研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 样品的制备方法与表征手段 | 第20-25页 |
| 2.1 样品的制备方法 | 第20-21页 |
| 2.1.1 磁控溅射简介 | 第20-21页 |
| 2.1.2 制备条件 | 第21页 |
| 2.2 样品的表征 | 第21-25页 |
| 2.2.1 粒子激发X射线荧光(PIXE) | 第21-22页 |
| 2.2.2 X射线衍射(XRD)和同步辐射X射线衍射(SR-XRD) | 第22页 |
| 2.2.3 X射线吸收精细结构谱(XAFS) | 第22-23页 |
| 2.2.4 超导量子干涉仪(SQUID) | 第23页 |
| 2.2.5 卢瑟福背散射(RBS) | 第23页 |
| 2.2.6 X射线光电子能谱(XPS) | 第23页 |
| 2.2.7 霍尔测试(Hall) | 第23-25页 |
| 第三章 ZnO：Mn稀磁半导体薄膜的制备、结构和磁性研究 | 第25-40页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 样品的制备 | 第25-26页 |
| 3.3 外束PIXE分析薄膜中的Mn含量 | 第26-27页 |
| 3.4 样品微观结构分析 | 第27-37页 |
| 3.4.1 SR-XRD确定薄膜的结构 | 第27-31页 |
| 3.4.2 XAFS研究Mn的局域结构 | 第31-37页 |
| 3.5 SQUID测量薄膜的磁性 | 第37-39页 |
| 3.6 总结 | 第39-40页 |
| 第四章 热氧化Zn_3N_2薄膜制备p型ZnO：N薄膜 | 第40-47页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 样品的制备 | 第40-41页 |
| 4.3 热氧化法制备的ZnO：N薄膜的结构分析 | 第41-45页 |
| 4.3.1 RBS分析 | 第41-43页 |
| 4.3.2 XRD分析 | 第43-44页 |
| 4.3.3 XPS分析 | 第44-45页 |
| 4.4 热氧化法制备的ZnO：N薄膜的电学性质分析 | 第45-46页 |
| 4.5 总结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
| 论文发表 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
