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小尺寸半导体器件中硅化物工艺优化及缺陷改进研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第6-11页
    1.1 金属硅化物工艺的演变第6-11页
第二章 镍硅化物工艺简介第11-22页
    2.1 镍硅化物工艺简介第11-13页
        2.1.1 一步式热退火工艺流程第11页
        2.1.2 两步式热退火工艺流程第11-12页
        2.1.3 两种工艺流程的优缺点概述第12-13页
    2.2 原位晶圆化学预清理工艺SICONI工艺简介第13-16页
        2.2.1 SICON化学原位预清理工艺简介第13页
        2.2.2 化学蚀刻第13-14页
        2.2.3 热退火升华第14页
        2.2.4 SICONI工艺化学反应方程式第14-15页
        2.2.5 SICONI工艺流程示意图第15页
        2.2.6 两种晶圆预清理工艺优缺点对比第15-16页
    2.3 SICONI工艺腔简介第16-17页
    2.4 镍金属及氮化钛保护层沉积技术第17-22页
        2.4.1 物理气相沉积技术简介第17-21页
        2.4.2 镍金属/合金沉积腔体概述第21页
        2.4.3 镍金属保护层氮化钛沉积腔体概述第21-22页
第三章 问题描述及实验目的第22-31页
    3.1 晶圆表面预清理工艺问题描述第22-24页
        3.1.1 蚀刻选择比及均匀度问题第22页
        3.1.2 蚀刻均匀度问题第22-23页
        3.1.3 预清理副产物颗粒缺陷的影响第23-24页
    3.2 镍铂合金组分对生长硅化物影响第24-25页
    3.3 实验目的第25-26页
    3.4 实验材料和设备第26-27页
        3.4.1 实验材料第26页
        3.4.2 实验设备第26-27页
    3.5 实验内容第27-31页
        3.5.1 不同介质材料在SICONI预清理工艺中蚀刻速度对比第27页
        3.5.2 SICONI蚀刻选择比调试第27-28页
        3.5.3 三氟化氮与氦气流量对比实验第28-29页
        3.5.4 热退火氢气流量与退火时间对比实验第29页
        3.5.5 镍铂合金厚度及硅化物第一次热对比退火实验第29-31页
第四章 实验结果分析第31-39页
    4.1 SICONI工艺蚀刻性能实验分析第31-35页
        4.1.1 空白晶圆硅化物实验结果分析第31-33页
        4.1.2 SICONI工艺热退火实验分析第33-35页
    4.2 镍铂硅化物实验分析第35-39页
        4.2.1 空白晶圆硅化物实验结果分析第35-36页
        4.2.2 产品晶圆硅化物实验结果分析第36-39页
第五章 总结第39-40页
参考文献第40-42页
致谢第42-43页

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