当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
垒层生长气氛对InGaN/GaN多量子阱结构表面形貌演变行为的影响
高活性纳米α-Fe2O3的制备及光电催化特性研究
晶圆制造自动化物料运输系统轨道布局优化及调度研究
基于光刻法制备微环芯腔及其特性的研究
不同晶型二氧化钛单晶薄膜的制备及其特性研究
GaN基和ZnTe半导体材料的制备和光学特性研究
GaN基HEMT和LED结构的光电特性研究
基于DMD的扫描光刻系统图案生成质量优化方案的研究
两步溶液法制备CsPbBr3钙钛矿薄膜及其光发射器件研究
基于DMD的扫描光刻系统的畸变误差分析与校正技术的研究
60V功率UMOSFET特性研究及优化
InP单晶装备及工艺热场技术研究
可见/近红外光响应型半导体催化剂的制备及性能研究
基于流—热—固多场耦合分析的PECVD装置优化设计
太阳能硅片电解磨削多线切割远程监控关键技术研究
平面功率半导体器件终端技术的仿真研究
化学气相沉积法制备二硫化钼薄膜及电学性能表征
半导体晶圆直接电化学纳米压印技术初探
氮化镓功率器件的特性及其应用的研究
立式HVPE生长三英寸GaN三维模拟研究
图形衬底Si基GaAs材料热应力分布
基于Dual-k层的新型FinFET结构射频模拟特性研究
Ⅲ-Ⅴ族半导体雪崩光电二极管特性研究
应变调控压电半导体器件的理论研究
新型三维材料电子结构调控的第一性原理研究
非极性面ZnO/AlGaN异质结紫外LED材料生长与器件特性研究
半导体硫化物自构型微腔中光—物质耦合及应变调控
二维Ⅳ-Ⅵ族半导体的可控合成及其光电性能研究
基于自支撑GaN衬底上垂直结构AlGaN/GaN CAVET MOCVD外延生长及器件性能研究
三维电子封装关键结构TSV-Cu的胀出行为研究
氧化物半导体材料生长调控与结构性质
掺杂Ga2O3薄膜晶相、载流子调控及日盲探测器件研究
GaN的高温高压合成研究
激光沉积镧钼薄膜阴极的表面分析和发射机理研究
PLD方法制备ZnO薄膜及其结构和光学性能分析
MOCVD生长Sb掺杂ZnO薄膜的基本特性及ZnO同质结发光器件研究
双深槽高电阻率外延超低电容TVS的研究
全芯片时钟网络的综合与优化方法
V掺杂ZnO的第一性原理研究
ZnO量子点的有机羧酸修饰及发光机理
Fe3O4基异质结的微观结构、磁性和输运性质
CoFe2O4修饰四针ZnO的制备及其吸波性能研究
有关半导体氧化层可靠性研究
大行程纳米压印光刻机的电控系统设计
光刻胶剥离工艺IPA消减方法研究
金属表面等离子体增透特性及其光刻研究
浅槽隔离中的氧化层缺陷解决方案的研究
光罩管理系统的优化来降低Haze的影响
四极质谱在CVDCLEAN中的应用
GaN基光电器件材料生长方法研究
上一页
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
下一页
