| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 引言 | 第9-14页 |
| 1.1 薄膜太阳电池的发展概况 | 第9页 |
| 1.2 多晶Si薄膜太阳电池的研究进展 | 第9-10页 |
| 1.3 多晶Si薄膜的光电特性 | 第10-12页 |
| 1.4 本课题的研究内容 | 第12-14页 |
| 第2章 实验方法 | 第14-19页 |
| 2.1 pc-Si 薄膜制备 | 第14-15页 |
| 2.1.1 实验装置 | 第14页 |
| 2.1.2 基片清洗 | 第14-15页 |
| 2.1.3 pc-Si 薄膜的制备 | 第15页 |
| 2.2 pc-Si 薄膜的表征方法 | 第15-19页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 | 第15页 |
| 2.2.2 X-射线衍射谱 | 第15-16页 |
| 2.2.3 拉曼光谱 | 第16页 |
| 2.2.4 光透射谱 | 第16页 |
| 2.2.5 光反射谱 | 第16-17页 |
| 2.2.6 光吸收谱 | 第17页 |
| 2.2.7 霍尔测试 | 第17-19页 |
| 第3章 大晶粒多晶Si薄膜的结构特征和光学性质 | 第19-34页 |
| 3.1 pc-Si薄膜的晶粒间界性质 | 第19-20页 |
| 3.2 工艺参数对薄膜微观结构的影响 | 第20-24页 |
| 3.2.1 衬底温度 | 第20-21页 |
| 3.2.2 反应压强 | 第21-23页 |
| 3.2.3 SiH_4浓度 | 第23-24页 |
| 3.3 pc-Si薄膜的光学性质 | 第24-26页 |
| 3.4 工艺参数对薄膜光学性质的影响 | 第26-34页 |
| 3.4.1 衬底温度 | 第26-29页 |
| 3.4.2 反应压强 | 第29-31页 |
| 3.4.3 SiH_4浓度 | 第31-34页 |
| 第4章 掺硼大晶粒多晶Si薄膜的光电特性 | 第34-42页 |
| 4.1 掺杂浓度对薄膜微观结构的影响 | 第34-37页 |
| 4.2 电学特性 | 第37-39页 |
| 4.3 光学性质 | 第39-42页 |
| 第5章 nc-Si:H/pc-Si异质结的 I-V 特性 | 第42-47页 |
| 5.1 异质结太阳电池的光伏原理 | 第42-43页 |
| 5.2 nc-Si:H/pc-Si异质结的制备 | 第43-44页 |
| 5.3 异质结光伏电池的 I-V 特性 | 第44-47页 |
| 第6章 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 硕士研究生在读期间发表的论文 | 第55页 |