| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 原子层淀积(ALD)工艺基本原理 | 第9-17页 |
| 1.2.1 反应源 | 第11-12页 |
| 1.2.2 反应衬底 | 第12页 |
| 1.2.3 反应机理 | 第12-14页 |
| 1.2.4 表面化学 | 第14-15页 |
| 1.2.5 温度窗口 | 第15-17页 |
| 1.3 热生长ALD和等离子体增强ALD | 第17-19页 |
| 1.4 ALD工艺的应用 | 第19-20页 |
| 1.5 本文结构 | 第20-22页 |
| 第二章 薄膜测试表征方法 | 第22-27页 |
| 2.1 X射线光电子能谱(XPS) | 第22-23页 |
| 2.2 X射线衍射(XRD) | 第23-24页 |
| 2.3 X射线反射(XRR) | 第24-25页 |
| 2.6 椭偏分析法(SE) | 第25-27页 |
| 第三章 HfO_2栅介质薄膜的原子层淀积及其特性研究 | 第27-47页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 样品的制备和实验方法 | 第28-29页 |
| 3.3 HfO_2与Si衬底界面层的特性分析 | 第29-35页 |
| 3.3.1 XPS化学成分分析 | 第29-32页 |
| 3.3.2 椭偏分析 | 第32-35页 |
| 3.4 HfO_2栅介质中的氧缺陷态的理论研究 | 第35-45页 |
| 3.4.1 密度泛函理论简介 | 第36-37页 |
| 3.4.2 理论计算框架 | 第37-38页 |
| 3.4.3 HfO_2的晶体结构结构和能带结构 | 第38-40页 |
| 3.4.4 HfO_2中氧空位和氧间隙的电子结构特性 | 第40-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 TiAlN扩散阻挡层的ALD淀积及其特性研究 | 第47-65页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 样品的制备和实验方法 | 第47-48页 |
| 4.3 TiAIN的薄膜特性研究 | 第48-56页 |
| 4.3.1 薄膜生长速率 | 第48页 |
| 4.3.2 方块电阻 | 第48-49页 |
| 4.3.3 XPS化学成分分析 | 第49-55页 |
| 4.3.4 XRD结构分析 | 第55-56页 |
| 4.4 SiO_2上原子层淀积TiAIN的初始反应机理的计算 | 第56-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 本文结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 硕士阶段发表的学术论文 | 第73-74页 |
