| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 摘要 | 第8页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 金属半导体接触简介 | 第9-14页 |
| 1.2.1 金半接触的研究历史 | 第9-10页 |
| 1.2.2 金半接触的结构与能带示意图 | 第10-13页 |
| 1.2.3 金半接触的发展方向 | 第13-14页 |
| 1.3 高迁移率半导体简介 | 第14-21页 |
| 1.3.1 锗半导体 | 第15-17页 |
| 1.3.2 Si(110) | 第17-20页 |
| 1.3.3 其他高迁移率半导体 | 第20-21页 |
| 1.4 本论文内容安排 | 第21-22页 |
| 第二章 样品的制备和测试方法 | 第22-31页 |
| 摘要 | 第22页 |
| 2.1 样品制备工艺简介 | 第22-23页 |
| 2.1.1 金属/超薄介质层/锗结构金半接触的制备 | 第22-23页 |
| 2.1.2 Ti调制的镍硅/硅金半接触的制备 | 第23页 |
| 2.2 样品测试方法及原理 | 第23-30页 |
| 2.2.1 金半接触的电流-电压测试与肖特基势垒提取 | 第23-25页 |
| 2.2.2 四探针薄层电阻测试 | 第25-26页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第26-28页 |
| 2.2.4 二次离子质谱 | 第28-29页 |
| 2.2.5 X射线衍射 | 第29-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 超薄界面层对金属锗接触的调制 | 第31-49页 |
| 摘要 | 第31页 |
| 3.1 锗表面势垒调制背景知识 | 第31-38页 |
| 3.1.1 简介 | 第31-32页 |
| 3.1.2 Ge半导体表面的费米能级钉扎效应 | 第32-34页 |
| 3.1.3 Ge基肖特基器件表面势垒的调制方法 | 第34-37页 |
| 3.1.4 GeO_2和GeON钝化层在Ge基MIS结构中的应用 | 第37-38页 |
| 3.2 利用GeO_2和GeON超薄层调制金半接触界面的尝试 | 第38-48页 |
| 3.2.1 实验描述 | 第38-39页 |
| 3.2.2 金属锗接触在超薄介质层界面调制下的电流电压特性研究 | 第39-43页 |
| 3.2.3 SIMS与XTEM测试 | 第43-46页 |
| 3.2.4 实验结果讨论 | 第46-48页 |
| 3.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 Ti元素掺杂对Si(110)衬底上镍硅化物的生长调制 | 第49-64页 |
| 摘要 | 第49页 |
| 4.1 背景知识 | 第49-53页 |
| 4.2 引入Ti元素对镍硅Si(100)和Si(110)上镍硅生长的影响 | 第53-63页 |
| 4.2.1 实验描述 | 第53页 |
| 4.2.2 测试与分析 | 第53-60页 |
| 4.2.3 Si(110)与Si(100)衬底上的NiSi_2薄膜外延质量 | 第60-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 总结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 硕士期间发表论文一览 | 第73-74页 |
