摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第1章 绪论 | 第15-35页 |
1.1 课题背景及研究意义 | 第15-16页 |
1.2 有序大孔材料的研究现状 | 第16-29页 |
1.2.1 有序大孔材料的概念 | 第16-18页 |
1.2.2 有序大孔材料的制备 | 第18-22页 |
1.2.3 Si 有序大孔材料的研究现状 | 第22-25页 |
1.2.4 Ge 有序大孔材料的研究现状 | 第25-29页 |
1.3 离子液体电沉积的研究现状 | 第29-33页 |
1.3.1 离子液体的定义 | 第29-30页 |
1.3.2 离子液体的特点 | 第30-32页 |
1.3.3 离子液体电沉积制备半导体 | 第32-33页 |
1.4 本文的主要研究内容 | 第33-35页 |
第2章 实验材料和研究方法 | 第35-40页 |
2.1 实验药品与仪器 | 第35-36页 |
2.1.1 实验药品 | 第35-36页 |
2.1.2 实验仪器 | 第36页 |
2.2 实验操作 | 第36-38页 |
2.2.1 模板的组装 | 第36-37页 |
2.2.2 预处理及电沉积 | 第37-38页 |
2.3 表征方法 | 第38-40页 |
2.3.1 形貌的表征 | 第38页 |
2.3.2 结构与成分的表征 | 第38页 |
2.3.3 其他测试 | 第38-40页 |
第3章 硅锗薄膜的制备 | 第40-70页 |
3.1 离子液体的选择 | 第40-41页 |
3.2 [EMIM]TF_2N 中沉积硅锗薄膜 | 第41-64页 |
3.2.1 [EMIm]Tf_2N 的电化学特性 | 第42-44页 |
3.2.2 电极反应控制步骤 | 第44-46页 |
3.2.3 沉积电位的影响 | 第46-51页 |
3.2.4 电解液组成的影响 | 第51-52页 |
3.2.5 薄膜的表征 | 第52-60页 |
3.2.6 薄膜的高真空氢气还原 | 第60-64页 |
3.3 PY_(1,4)TF_2N 中沉积硅锗薄膜 | 第64-68页 |
3.3.1 Py_(1,4)Tf_2N 的电化学特性 | 第65页 |
3.3.2 Py_(1,4)Tf_2N 中制备硅锗的分析 | 第65-68页 |
3.4 本章小结 | 第68-70页 |
第4章 胶体晶体模板的制备及其填充 | 第70-86页 |
4.1 胶体晶体的制备 | 第70-76页 |
4.1.1 表面形貌 | 第70-71页 |
4.1.2 光谱特性 | 第71-76页 |
4.2 胶体晶体的填充 | 第76-82页 |
4.2.1 填充形式 | 第76-77页 |
4.2.2 填充手段 | 第77-82页 |
4.3 胶体晶体的去除 | 第82-84页 |
4.3.1 热处理法 | 第82-83页 |
4.3.2 有机溶剂溶解法 | 第83-84页 |
4.4 本章小结 | 第84-86页 |
第5章 三维有序大孔硅锗薄膜的制备 | 第86-101页 |
5.1 [EMIM]TF_2N 中制备三维有序大孔硅锗 | 第86-93页 |
5.1.1 填充过程的研究 | 第86-88页 |
5.1.2 沉积电位的影响 | 第88-89页 |
5.1.3 沉积时间的影响 | 第89-90页 |
5.1.4 胶体晶体模板的影响 | 第90-92页 |
5.1.5 三维有序大孔硅锗的光谱特性 | 第92-93页 |
5.2 PY_(1,4)TF_2N 中制备三维有序大孔硅锗 | 第93-94页 |
5.3 叠层有序大孔薄膜的制备 | 第94-99页 |
5.3.1 Si/Ge 叠层有序大孔薄膜 | 第94-96页 |
5.3.2 Al/Ge 叠层有序大孔薄膜 | 第96-99页 |
5.4 本章小结 | 第99-101页 |
第6章 高温下制备二维有序大孔硅锗薄膜 | 第101-112页 |
6.1 高温电沉积制备硅锗薄膜 | 第101-104页 |
6.1.1 温度对电化学行为的影响 | 第101-102页 |
6.1.2 温度对薄膜组成的影响 | 第102-104页 |
6.2 高温电沉积制备二维有序大孔硅锗薄膜 | 第104-110页 |
6.2.1 温度对胶体晶体的影响 | 第104-105页 |
6.2.2 温度对二维产物形貌的影响 | 第105-107页 |
6.2.3 二维有序大孔硅锗的光谱特性 | 第107-110页 |
6.3 本章小结 | 第110-112页 |
结论 | 第112-114页 |
参考文献 | 第114-124页 |
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第124-127页 |
致谢 | 第127-128页 |
个人简历 | 第128页 |