| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 前言 | 第13-15页 |
| 1.1 研究的背景和意义 | 第13页 |
| 1.2 本研究的目的和内容 | 第13页 |
| 1.3 本论文的结构安排及内容提要 | 第13-15页 |
| 第二章 文献综述 | 第15-37页 |
| 2.1 引言 | 第15页 |
| 2.2 本征Si纳米晶的研究进展 | 第15-22页 |
| 2.2.1 Si纳米晶的制备 | 第15-16页 |
| 2.2.2 Si纳米晶的线性光学性质 | 第16-19页 |
| 2.2.3 Si纳米晶的非线性光学性质 | 第19-20页 |
| 2.2.4 Si纳米晶的光电性质 | 第20-22页 |
| 2.3 含Si纳米晶有源微盘谐振腔的研究进展 | 第22-28页 |
| 2.3.1 回音壁模式谐振腔的研究进展 | 第22-25页 |
| 2.3.2 含Si纳米晶有源微盘谐振腔的研究意义 | 第25页 |
| 2.3.3 含Si纳米晶有源微盘谐振腔的光学损耗过程 | 第25-26页 |
| 2.3.4 含Si纳米晶微盘谐振腔的自发辐射动力学 | 第26页 |
| 2.3.5 应力引入的微盘品质因子的增强和调节 | 第26-28页 |
| 2.4 掺杂Si纳米晶的研究进展 | 第28-34页 |
| 2.4.1 掺杂Si纳米晶的研究意义 | 第28-29页 |
| 2.4.2 纳米尺度下掺杂的新问题 | 第29-32页 |
| 2.4.3 掺杂Si纳米晶的制备 | 第32页 |
| 2.4.4 掺杂Si纳米晶的表征 | 第32-34页 |
| 2.5 评论及存在的问题 | 第34-37页 |
| 第三章 本征Si纳米晶的制备、表征及性能优化 | 第37-47页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 材料制备设备及工艺 | 第37-40页 |
| 3.2.1 PECVD及后续热处理制备Si纳米晶 | 第37-38页 |
| 3.2.2 氢钝化工艺 | 第38-40页 |
| 3.3 光学测试 | 第40-43页 |
| 3.3.1 椭偏光谱 | 第40-41页 |
| 3.3.2 稳态光致发光测试 | 第41-42页 |
| 3.3.3 瞬态光致发光测试 | 第42-43页 |
| 3.4 Si纳米晶激子动力学的研究 | 第43-46页 |
| 3.4.1 PL峰形的变化 | 第43-44页 |
| 3.4.2 PL峰强度及PL积分强度的变化 | 第44-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 含Si纳米晶的微盘谐振腔的制备及表征 | 第47-59页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 含Si纳米晶的微盘谐振腔的制备工艺 | 第47-49页 |
| 4.3 回音壁模式谐振腔的基本物理概念 | 第49-50页 |
| 4.4 微区光致发光测试平台 | 第50-53页 |
| 4.5 回音壁模式光谱特征 | 第53-57页 |
| 4.5.1 回音壁模式光谱 | 第53-55页 |
| 4.5.2 偏振模式 | 第55页 |
| 4.5.3 径向族 | 第55-56页 |
| 4.5.4 微盘直径的影响 | 第56-57页 |
| 4.5.5 微盘厚度的影响 | 第57页 |
| 4.5.6 微盘基座的影响 | 第57页 |
| 4.6 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 连续波光谱研究含Si纳米晶微盘谐振腔非线性动力学 | 第59-77页 |
| 5.1 引言 | 第59-61页 |
| 5.2 品质因子随泵浦功率的变化和激发载流子吸收 | 第61-70页 |
| 5.2.1 有源微盘的光学损失机制 | 第61页 |
| 5.2.2 品质因子随泵浦功率的变化 | 第61-66页 |
| 5.2.3 氢钝化和未经氢钝化Si纳米晶微盘的比较 | 第66-70页 |
| 5.3 谐振峰位的移动和富硅氧化硅材料的光学非线性 | 第70-75页 |
| 5.3.1 峰位移动趋势及物理模型 | 第70-75页 |
| 5.3.2 富硅氧化硅材料的光学非线性 | 第75页 |
| 5.4 本章小结 | 第75-77页 |
| 第六章 掺硼富硅氧化硅薄膜的制备和微结构表征 | 第77-93页 |
| 6.1 引言 | 第77页 |
| 6.2 共溅射法制备掺硼的Si纳米晶 | 第77-81页 |
| 6.2.1 反应溅射法制备本征Si纳米晶 | 第77-80页 |
| 6.2.2 反应溅射结合共溅射制备掺B的Si纳米晶 | 第80-81页 |
| 6.3 成分表征 | 第81-88页 |
| 6.3.1 卢瑟福背散射(RBS) | 第81-83页 |
| 6.3.2 X射线光电子谱(XPS) | 第83-88页 |
| 6.4 薄膜微结构 | 第88-92页 |
| 6.4.1 高富硅量薄膜掺硼 | 第88-90页 |
| 6.4.2 中等富硅量/低富硅量薄膜掺硼 | 第90-92页 |
| 6.5 本章小结 | 第92-93页 |
| 第七章 掺硼富硅氧化硅薄膜的电学活性掺杂和强白光发光 | 第93-111页 |
| 7.1 引言 | 第93页 |
| 7.2 薄膜的电学活性掺杂 | 第93-96页 |
| 7.2.1 拉曼光谱 | 第93-94页 |
| 7.2.2 四探针电阻测试 | 第94-96页 |
| 7.3 薄膜的强白光发光 | 第96-110页 |
| 7.3.1 薄膜的发光照片 | 第96-97页 |
| 7.3.2 光致发光谱(PL谱) | 第97-107页 |
| 7.3.3 光致发光激发谱(PLE谱) | 第107-108页 |
| 7.3.4 时间分辨光致发光谱(TRPL谱) | 第108-110页 |
| 7.4 本章小结 | 第110-111页 |
| 第八章 总结 | 第111-115页 |
| 8.1 结论 | 第111-112页 |
| 8.2 展望 | 第112-115页 |
| 参考文献 | 第115-127页 |
| 致谢 | 第127-131页 |
| 个人简介 | 第131-133页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第133-134页 |
