OLED用三氧化钨缓冲层的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-36页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 概述 | 第7-8页 |
| 1.3 应用与发展 | 第8-9页 |
| 1.4 OLED原理 | 第9-13页 |
| 1.5 OLED结构 | 第13-23页 |
| 1.6 有机发光材料的选用 | 第23-30页 |
| 1.6.1 有机发光材料的分类 | 第23-24页 |
| 1.6.2 发光层材料 | 第24页 |
| 1.6.3 缓冲层材料 | 第24-25页 |
| 1.6.4 载流子传输材料 | 第25-26页 |
| 1.6.5 发光材料 | 第26-29页 |
| 1.6.6 电极材料 | 第29-30页 |
| 1.7 OLED的优缺点 | 第30-31页 |
| 1.8 OLED技术及产品背后的意义探讨 | 第31-33页 |
| 1.9 OLED的应用 | 第33-35页 |
| 1.10 本论文研究意义 | 第35-36页 |
| 第二章 薄膜制备及表征方法 | 第36-47页 |
| 2.1 制备方法 | 第36-41页 |
| 2.1.1 脉冲等离子体沉积 | 第36-38页 |
| 2.1.2 直流反应磁控溅射 | 第38-40页 |
| 2.1.3 真空热蒸镀 | 第40-41页 |
| 2.2 性能测试与表征 | 第41-47页 |
| 2.2.1 薄膜厚度测试 | 第41页 |
| 2.2.2 薄膜微结构分析测试及原理 | 第41-43页 |
| 2.2.3 薄膜电学性能测试 | 第43-45页 |
| 2.2.4 薄膜光学性能测试 | 第45页 |
| 2.2.5 二极管电学性能测试 | 第45-47页 |
| 第三章 磁控溅射法制备OLED之三氧化钨缓冲层 | 第47-54页 |
| 3.1 引言 | 第47页 |
| 3.2 实验 | 第47-49页 |
| 3.2.1 三氧化钨薄膜和OLED器件的制备 | 第47-48页 |
| 3.2.2 分析测试方法 | 第48-49页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第49-53页 |
| 3.3.1 氧化物薄膜的晶格结构 | 第49-50页 |
| 3.3.2 氧化物薄膜的光学性能 | 第50页 |
| 3.3.3 氧化物薄膜的光学性能 | 第50-53页 |
| 3.4 结论 | 第53-54页 |
| 第四章 PPD制备OLED之三氧化钨缓冲层 | 第54-63页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 实验 | 第54-55页 |
| 4.2.1 三氧化钨薄膜和OLED器件的制备 | 第54-55页 |
| 4.2.2 分析测试方法 | 第55页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第55-60页 |
| 4.3.1 氧化物薄膜的晶格结构 | 第55-56页 |
| 4.3.2 氧化物薄膜的光学性能 | 第56-57页 |
| 4.3.3 含WO_3缓冲层OLED器件的性能 | 第57-60页 |
| 4.4 PPD结果分析 | 第60-62页 |
| 4.5 结论 | 第62-63页 |
| 全文结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 附录 硕士生在读期间的科研成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
