| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-34页 |
| 1.1 前言 | 第10-11页 |
| 1.2 GaAs 单晶的材料特性 | 第11-15页 |
| 1.2.1 GaAs 单晶的结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 GaAs 单晶的基本性质 | 第12-14页 |
| 1.2.3 GaAs 单晶的应用 | 第14-15页 |
| 1.3 GaAs 单晶结构的不完整性 | 第15-22页 |
| 1.3.1 由点缺陷导致的结构不完整性 | 第16-18页 |
| 1.3.2 由线缺陷导致的结构不完整性 | 第18-20页 |
| 1.3.3 由微缺陷导致的结构不完整性 | 第20-22页 |
| 1.4 原生 SI-GaAs 单晶的电学性能 | 第22-25页 |
| 1.5 SI-GaAs 单晶的两种主要生长技术 | 第25-29页 |
| 1.5.1 LEC 生长技术 | 第25-27页 |
| 1.5.2 VGF 生长技术 | 第27-29页 |
| 1.6 电子辐照的 GaAs 单晶 | 第29-32页 |
| 1.6.1 电子辐照原理和效应 | 第29-30页 |
| 1.6.2 GaAs 单晶的电子辐照 | 第30-32页 |
| 1.7 本文的主要研究内容 | 第32-34页 |
| 第二章 样品制备与分析技术 | 第34-44页 |
| 2.1 样品制备 | 第34-35页 |
| 2.2 缺陷腐蚀 | 第35-37页 |
| 2.2.1 电化学腐蚀 | 第35-36页 |
| 2.2.2 超声 AB 腐蚀 | 第36-37页 |
| 2.3 分析技术 | 第37-44页 |
| 2.3.1 红外吸收光谱仪 | 第37-38页 |
| 2.3.2 金相显微镜 | 第38页 |
| 2.3.3 快速热处理炉 | 第38-39页 |
| 2.3.4 拉曼光谱仪 | 第39页 |
| 2.3.5 霍尔效应测试仪 | 第39-44页 |
| 2.3.5.1 霍尔系数的测量 | 第40页 |
| 2.3.5.2 导电类型的判断 | 第40页 |
| 2.3.5.3 载流子浓度的测量 | 第40-41页 |
| 2.3.5.4 电阻率的测量 | 第41-42页 |
| 2.3.5.5 霍尔迁移率的测量 | 第42-44页 |
| 第三章 SI-GaAs 单晶中的缺陷及形成机理 | 第44-64页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 实验过程 | 第44-48页 |
| 3.2.1 超声 AB 腐蚀 | 第44-46页 |
| 3.2.1.1 超声 AB 腐蚀液的配制 | 第45页 |
| 3.2.1.2 超声 AB 腐蚀步骤 | 第45-46页 |
| 3.2.2 红外吸收测量 | 第46页 |
| 3.2.2.1 EL2 缺陷浓度的测量 | 第46页 |
| 3.2.2.2 C 杂质浓度的测量 | 第46页 |
| 3.2.3 微区红外测量的样品制备 | 第46-48页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第48-62页 |
| 3.3.1 SI-GaAs 单晶的缺陷形貌 | 第48-54页 |
| 3.3.1.1 原生 LEC SI-GaAs 单晶缺陷形貌 | 第48-51页 |
| 3.3.1.2 原生 VGF SI-GaAs 单晶缺陷形貌 | 第51-54页 |
| 3.3.2 SI-GaAs 单晶中微缺陷的浓度 | 第54-59页 |
| 3.3.2.1 EL2 缺陷浓度及其径向分布 | 第54-56页 |
| 3.3.2.2 C 杂质浓度及其径向分布 | 第56-59页 |
| 3.3.3 SI-GaAs 单晶中缺陷的形成机理 | 第59-62页 |
| 3.3.3.1 位错的形成机理 | 第59-60页 |
| 3.3.3.2 微缺陷的形成机理 | 第60-62页 |
| 3.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第四章 电子辐照 SI-GaAs 单晶拉曼谱的研究 | 第64-78页 |
| 4.1 引言 | 第64页 |
| 4.2 实验过程 | 第64-65页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第65-77页 |
| 4.3.1 辐照剂量对 SI-GaAs 单晶拉曼谱的影响 | 第66-71页 |
| 4.3.1.1 辐照剂量对 LEC SI-GaAs 单晶拉曼谱的影响 | 第66-69页 |
| 4.3.1.2 辐照剂量对 VGF SI-GaAs 单晶拉曼谱的影响 | 第69-71页 |
| 4.3.2 辐照能量对 SI-GaAs 单晶拉曼谱的影响 | 第71-77页 |
| 4.3.2.1 辐照能量对 LEC SI-GaAs 单晶拉曼谱的影响 | 第71-73页 |
| 4.3.2.2 辐照能量对 VGF SI-GaAs 单晶拉曼谱的影响 | 第73-77页 |
| 4.4 本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 电子辐照对 SI-GaAs 单晶电学性能的影响 | 第78-92页 |
| 5.1 引言 | 第78页 |
| 5.2 实验过程 | 第78-79页 |
| 5.3 实验结果与分析 | 第79-90页 |
| 5.3.1 辐照剂量对 SI-GaAs 单晶电学性能的影响 | 第79-85页 |
| 5.3.1.1 辐照剂量对 LEC SI-GaAs 单晶电学性能的影响 | 第79-83页 |
| 5.3.1.2 辐照剂量对 VGF SI-GaAs 单晶电学性能的影响 | 第83-85页 |
| 5.3.2 辐照能量对 SI-GaAs 单晶电学性能的影响 | 第85-90页 |
| 5.3.2.1 辐照能量对 LEC SI-GaAs 单晶电学性能的影响 | 第85-87页 |
| 5.3.2.2 辐照能量对 VGF SI-GaAs 单晶电学性能的影响 | 第87-90页 |
| 5.4 本章小结 | 第90-92页 |
| 第六章 结论 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-102页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第102-104页 |
| 致谢 | 第104页 |
