| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 本文研究的现实意义 | 第11-12页 |
| 1.2 SiC SBD 国内外的研究现状 | 第12-18页 |
| 第2章 SiC 半导体材料的性质及制备工艺的研究 | 第18-28页 |
| 2.1 SiC 材料的结构和所具备性质 | 第19-23页 |
| 2.1.1 SiC 晶体的结构 | 第19-20页 |
| 2.1.2 SiC 材料具有的基本性质 | 第20-23页 |
| 2.2 SiC 宽禁带材料的制备 | 第23-24页 |
| 2.2.1 SiC 单晶生长 | 第23页 |
| 2.2.2 SiC 薄膜的生长 | 第23-24页 |
| 2.3 SiC 器件制作过程中的相关工艺 | 第24-28页 |
| 2.3.1 氧化 | 第24-25页 |
| 2.3.2 掺杂及退火 | 第25-26页 |
| 2.3.3 欧姆接触 | 第26-28页 |
| 第3章 金属与半导体的接触理论 | 第28-40页 |
| 3.1 金属半导体接触所涉及的基本参数 | 第28-29页 |
| 3.2 肖特基势垒形成的主要模型 | 第29-34页 |
| 3.2.1 利用肖特基一莫特模型解释肖特基势垒的存在 | 第30页 |
| 3.2.2 肖特基-巴丁模型 | 第30-31页 |
| 3.2.3 适合解释SiC 肖特基势垒的模型 | 第31-32页 |
| 3.2.4 势垒高度的主要影响因素 | 第32-34页 |
| 3.3 欧姆接触形成原理和获得较低比接触电阻的研究 | 第34-40页 |
| 3.3.1 SiC 材料形成欧姆接触原理 | 第34-35页 |
| 3.3.2 为获得较低的比接触电阻的研究 | 第35-37页 |
| 3.3.3 n 型 SiC 材料形成欧姆接触的金属材料的选择 | 第37-40页 |
| 第4章 基于 Ni 基 SiC SBD 工艺改进方法的研究 | 第40-55页 |
| 4.1 SiC SBD 欧姆接触及其改进方法 | 第40-42页 |
| 4.2 基于结终端扩展的 SiC SBD 的工艺改进 | 第42-45页 |
| 4.3 引入超结优化 SiC SBD 正反向特性 | 第45-50页 |
| 4.3.1 SJ 的特点 | 第46页 |
| 4.3.2 SJ SBD 正反向特性的改善 | 第46-50页 |
| 4.4 Ni 基 4H-N 型 SiC 的结构及正向特性的模拟 | 第50-55页 |
| 4.4.1 编写仿真程序代码 | 第50-52页 |
| 4.4.2 仿真结果分析 | 第52-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
