| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第8-11页 |
| §1.1 稀土共掺杂氧化物研究的意义与进展 | 第8-10页 |
| §1.2 本文主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 稀土共掺杂氧化物薄膜材料的制备工艺与表征方法 | 第11-23页 |
| §2.1 磁控溅射技术 | 第11-14页 |
| §2.2 硅衬底片的清洗 | 第14-15页 |
| §2.3 薄膜退火 | 第15-16页 |
| §2.4 稀土掺杂薄膜的表征技术 | 第16-23页 |
| §2.4.1 光致发光谱 | 第16-17页 |
| §2.4.2 X射线光电子能谱分析 | 第17-19页 |
| §2.4.3 拉曼光谱 | 第19-20页 |
| §2.4.4 透射电子显微镜 | 第20-23页 |
| 第三章 Er、Tm和Si共掺杂ZnO的发光研究 | 第23-35页 |
| §3.1 Er：Tm：Si：ZnO薄膜的制备 | 第23页 |
| §3.2 Er：Tm：Si：ZnO薄膜结构的研究 | 第23-26页 |
| §3.2.1 X射线光电子谱分析 | 第23-25页 |
| §3.2.2 拉曼光谱分析 | 第25页 |
| §3.2.3 透射电子显微镜分析 | 第25-26页 |
| §3.3 Er：Tm：Si：ZnO薄膜的PL谱的研究 | 第26-34页 |
| §3.3.1 室温下Er：Tm：Si：ZnO薄膜的PL谱 | 第26-29页 |
| §3.3.2 不同测试温度下Er：Tm：Si：ZnO薄膜的PL谱 | 第29-31页 |
| §3.3.3 Er：Tm：Si：ZnO薄膜中PL能量传递的机制 | 第31-34页 |
| §3.4 小结 | 第34-35页 |
| 第四章 Er、Si掺杂Al_2O_3发光的研究 | 第35-43页 |
| §4.1 Er：Si：Al_2O_3各种结构薄膜的制备 | 第35-36页 |
| §4.2 Er掺杂单层膜XPS成分分析 | 第36-37页 |
| §4.3 Er：Si：Al_2O_3各种结构薄膜的PL谱性质 | 第37-41页 |
| §4.3.1 薄膜结构中纳米硅的可见PL谱 | 第37-38页 |
| §4.3.2 直接激发下的红外PL谱 | 第38-39页 |
| §4.3.3 间接激发下的红外PL谱 | 第39-40页 |
| §4.3.4 PL谱的温度特性 | 第40-41页 |
| §4.4 小结 | 第41-43页 |
| 第五章 发光特性退火行为的研究 | 第43-48页 |
| §5.1 快速退火或常规退火对Er、Si分开掺杂多层膜发光的影响 | 第43-44页 |
| §5.2 先快速退火再常规退火对多层膜发光的影响 | 第44-46页 |
| §5.3 两次退火与一次退火后Er发光特性的比较 | 第46-47页 |
| §5.4 小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
