| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第15-29页 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第15-19页 |
| 1.1.1 光子晶体的概念以及应用 | 第15-16页 |
| 1.1.2 胶体晶体法制备三维有序大孔光子晶体 | 第16-17页 |
| 1.1.3 课题的提出 | 第17-19页 |
| 1.2 国内外硅和锗光子晶体的研究现状及分析 | 第19-25页 |
| 1.2.1 一维硅光子晶体的研究现状及分析 | 第19-20页 |
| 1.2.2 二维的硅光子晶体的研究现状及分析 | 第20-21页 |
| 1.2.3 三维硅光子晶体的研究现状及分析 | 第21-24页 |
| 1.2.4 锗光子晶体的研究现状及分析 | 第24-25页 |
| 1.3 国内外研究硅、锗的电沉积的研究现状及分析 | 第25-28页 |
| 1.3.1 硅的电沉积研究现状及分析 | 第25-27页 |
| 1.3.2 锗的电沉积研究现状及分析 | 第27-28页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第28-29页 |
| 第2章 实验材料及研究方法 | 第29-37页 |
| 2.1 实验的原料以及制备过程 | 第29-33页 |
| 2.1.1 实验的原材料 | 第29-30页 |
| 2.1.2 材料的制备工艺 | 第30-32页 |
| 2.1.3 实验仪器 | 第32-33页 |
| 2.2 形貌表征技术 | 第33页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜 | 第33页 |
| 2.3 结构与成分表征 | 第33-34页 |
| 2.3.1 傅立叶红外光谱 | 第33页 |
| 2.3.2 拉曼光谱 | 第33页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱分析 | 第33-34页 |
| 2.3.4 高分辨透射电子显微镜 | 第34页 |
| 2.3.5 X射线衍射分析 | 第34页 |
| 2.4 材料基本性能表征 | 第34-37页 |
| 2.4.1 电化学性能测试 | 第34-35页 |
| 2.4.2 紫外-可见-近红外光谱测试 | 第35-36页 |
| 2.4.3 接触角测试 | 第36页 |
| 2.4.4 差热-热重分析 | 第36页 |
| 2.4.5 电池性能测试 | 第36-37页 |
| 第3章 离子液体电沉积硅及三维有序大孔硅的制备 | 第37-63页 |
| 3.1 硅薄膜的制备 | 第37-47页 |
| 3.1.1 电沉积硅的热力学理论基础 | 第38-40页 |
| 3.1.2 基板对电沉积硅的影响 | 第40-41页 |
| 3.1.3 温度对电沉积硅的影响 | 第41-43页 |
| 3.1.4 电沉积硅的形貌和成分分析 | 第43-47页 |
| 3.2 三维有序大孔硅光子晶体的制备 | 第47-57页 |
| 3.2.1 胶体晶体模板的制备 | 第47-50页 |
| 3.2.2 PS模板粒径影响 | 第50-53页 |
| 3.2.3 电解液浓度影响 | 第53-54页 |
| 3.2.4 温度影响 | 第54-57页 |
| 3.3 硅薄膜及三维有序大孔硅的防氧化处理 | 第57-59页 |
| 3.4 离子液体中电沉积硅的机理研究 | 第59-62页 |
| 3.4.1 不同扫描速度的循环伏安曲线 | 第59-60页 |
| 3.4.2 电沉积硅过程中阻抗特性 | 第60-61页 |
| 3.4.3 电沉积中的形核机制 | 第61-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第4章 紫外离子液体电沉积锗、硅的研究 | 第63-86页 |
| 4.1 UV对离子液体的影响 | 第63-66页 |
| 4.1.1 UV照射后的红外光谱研究 | 第65-66页 |
| 4.2 UV对离子液体电沉积锗的影响 | 第66-77页 |
| 4.2.1 对开路电压和循环伏安曲线的影响 | 第66-68页 |
| 4.2.2 锗薄膜的形貌和成分分析 | 第68-76页 |
| 4.2.3 UV辅助电沉积锗过程中的荧光现象 | 第76-77页 |
| 4.3 UV对离子液体电沉积硅的影响 | 第77-81页 |
| 4.3.1 对开路电压和循环伏安曲线的影响 | 第77-79页 |
| 4.3.2 硅薄膜的形貌分析 | 第79-81页 |
| 4.4 UV辅助电沉积对制备3DOM薄膜的影响 | 第81-85页 |
| 4.4.1 对覆有PS的ITO基板的润湿性影响 | 第81-84页 |
| 4.4.2 UV辅助制备3DOM Si、Ge薄膜 | 第84-85页 |
| 4.5 本章小结 | 第85-86页 |
| 第5章 光子晶体的光学特性分析 | 第86-105页 |
| 5.1 胶体晶体模板的光谱研究 | 第86-92页 |
| 5.1.1 光子晶体理论基础 | 第86-88页 |
| 5.1.2 PS胶体晶体的光谱分析 | 第88-92页 |
| 5.2 Si/PS复合薄膜的反射透射光谱研究 | 第92-95页 |
| 5.2.1 较小粒径的Si/PS薄膜的光谱研究 | 第92-94页 |
| 5.2.2 升温电沉积Si/PS复合薄膜的光谱分析 | 第94-95页 |
| 5.3 硅光子晶体的光谱分析 | 第95-99页 |
| 5.4 锗光子晶体的反射光谱分析 | 第99-101页 |
| 5.5 光子晶体中的激光衍射现象 | 第101-103页 |
| 5.5.1 PS胶体晶体的激光衍射研究 | 第101-102页 |
| 5.5.2 3DOM Si光子晶体的激光衍射研究 | 第102-103页 |
| 5.6 本章小结 | 第103-105页 |
| 第6章 三维有序大孔硅、锗材料的锂电负极性能研究 | 第105-124页 |
| 6.1 电极的制备和电池组装 | 第106-109页 |
| 6.2 3DOM 硅电极的表征与性能测试 | 第109-111页 |
| 6.3 锗和3DOM锗电极的材料的制备与表征 | 第111-117页 |
| 6.4 锗和3DOM锗电极的电池性能 | 第117-123页 |
| 6.4.1 电化学性能 | 第117-118页 |
| 6.4.2 充放电性能 | 第118-120页 |
| 6.4.3 倍率性能 | 第120-121页 |
| 6.4.4 充放电后形貌和成分的变化 | 第121-123页 |
| 6.5 本章小结 | 第123-124页 |
| 结论 | 第124-126页 |
| 参考文献 | 第126-137页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第137-141页 |
| 致谢 | 第141-142页 |
| 个人简历 | 第142页 |